РАДИОЭЛЕМЕНТЫ

  1. Терморезисторы 
  2. 4-канальный аналоговый переключатель ИС 168КТ2
  3. элемент кварцевых генераторов = Микросхема 219ГС
  4. ОПТОПАРЫ 3ОТ122А, CQY80NG 
  5. Фотоэлементы

ТРАНЗИСТОРЫ

  1. 1нт251а транзисторная сборка
  2. ТРАНЗИСТОРЫ старых типов
  3. K1010 - транзисторный оптрон
  4. Транзисторы MOSFET (полевые) IRF630,IRFZ44,VN2222L
  5. Транзистор: КТ814Б
  6. Высокочастотные транзисторы: П410А,КТ326Б,2Т313Б,КТ347В,КТ3478,2SC3357
  7. Биполярные n-p-n Транзисторы
  8. Мощные npn Транзисторы
  9. ТРАНЗИСТОРЫ pnp Мощные
  10. Транзисторы p-n-p
  11. Транзистоы p-n-p высокочастотные мощные
  12. Биполярный pnp транзистор 2T3308A
  13. Транзистор КТ118А

МИКРОСХЕМЫ

  1. Микросхемы 155 серии
  2. Микросхемы 164 серии
  3. Микросхема ПЗУ К573РФ5
  4. Микросхемы 580 серии
  5. Микросхемы 564 серии
  6. Микросхема ЦАП  572  серии
  7. Микросхемы компараторов напряжения 521 серии
  8. Микросхема - KA2404, Контроллер скорости вращения электродвигателя

ДИОДЫ

  1. Диоды 1N5400-1N5408
  2. Диоды Шоттки
  3. Выпрямительные и импульсные диоды
  4. Диоды КД226А-КД226Д
  5. Диод UF5404 кремниевый, ультрабыстродействующий
  6. Диод  2Д106А
  7. Селеновый выпрямитель 5ГЕ140Ф
  8. ТИРИСТОРЫ

СТАБИЛИТРОНЫ

  1. Микросхема TL431 регулируемый стабилитрон
  2. Стабилизатор напряжения 142ЕН2А, 142ЕН2Б

Терморезисторы 
Терморезисторы КМТ-1  прямого подогрева с отрицательным ТКС предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Терморезисторы КМТ-1 - негерметизированные, незащищенные, неизолированные. 
Масса, не более    0,6 г 
Диапазон номинальных сопротивлений    22 кОм … 1 МОм 
Максимальная мощность рассеяния    1000 мВт 
ТКС при 20°С, %/°С    -(4,2-8,4) % /°C 
Коэффициент темп.чувств. (постоянная В, К)    3600-7200 K 
Диапазон рабочих температур, °С    –60…180
Постоянная времени T, с    85
Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%. Терморезисторы прямого подогрева вида А с отрицательным ТКС КМТ-1, КМТ-4, КМТ-8, ММТ-1, ММТ-4, ММТ-8, ММТ-9, ММТ-13 предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентов сопротивления. Даташит: https://eandc.ru/pdf/rezistor/kmt-1.pdf.

Терморезисторы (NTC 10D-9 Thermal Resistor)
termistor-NTS.bmpТерморези?стор (термистор) — полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от его температуры. По типу зависимости сопротивления от температуры различают терморезисторы с отрицательным (NTC-термисторы, от слов «Negative Temperature Coefficient») и положительным (PTC-термисторы, от слов «Positive Temperature Coefficient» или позисторы.) У них есть очень хорошее свойство, с увеличением температуры их сопротивление уменьшается. То есть в начальный момент они ведут себя как обычное сопротивление, уменьшая своё значение с прогревом.
Термистор питания NTC. MF72 серия термисторов питания NTC обеспечивают подавление пускового тока для чувствительной электроники. MF72 подключаются последовательно с источником питания, ограничивая броски тока, обычно создаваемые при включении. Как только подается напряжение, сопротивление MF72 будет быстро уменьшается до очень низкого значения потребляемой мощности, и может
быть проигнорирована, так как не будет никакого влияния на нормальный рабочий ток. Использование MF72 термисторов питания NTC является наиболее экономически эффективным способом борьбы с импульсным током и способностью защитить чувствительную электронику от повреждений. Применение: Преобразователи мощности, выключатели питания, импульсные блоки питания;  Электронные энергосберегающие лампы, электронные балласты всех видов; Электронагреватели; Все виды RT дисплеев; Лампы и другие осветительные приборы.

4-канальный аналоговый переключатель ИС 168КТ2

Представляет собой ис для коммутации тока и напряжения. Имеет две группы исполнения по параметрам (А, Б и В). , выполненные по рМОП-технологии. 
Содержат 8 интегральных элементов (4 рМОП транзистора и 4 диода). Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,45 г. цЕНА 580 РУБ.
168KT2.pngТемпературный диапазон – от -60 °С до +100°С. http://www.voshod-krlz.ru/files/datasheets/168KT2%2001%2004%2016.pdf168KT2_.bmp
Микросхема конструктивно выполнена в корпусе: 
- 401.14-5.07НБ (никель, обозначение 168КТ2Т1ВК);
- 401.14-5М (золото, обозначение 168КТ2ТВК).
Габаритный чертеж –У80.073.048ГЧ.
Масса – не более 1,0 г.
Микросхема устойчива к воздействию внешних воздействующих факторов по ОСТ В 11 0998-99,
в том числе:
Допустимое значение статического потенциала для микросхем, В 100
Атмосферное пониженное рабочее давление, Па (мм. рт. ст.) 1,3*10-4 (10-6)
Атмосферное повышенное рабочее давление, кПА 294
Повышенная относительная влажность при 35°С, % 98
Смена температур, °С от - 60 до +150
Амплитуда линейного ускорения, мс-2 (g) 5000 (500)
Синусоидальная вибрация: диапазон частот, Гц 1 - 5000
 амплитуда ускорения, мс-2 (g) 400 (40)
Механический удар одиночного действия:
 пиковое ударное ускорение, мс-2 (g) 15 000 (1500)
 длительность действия, мс 0,1 - 2,0
 многократного действия:
 пиковое ударное ускорения, мс-2 (g) 1500 (150)
 длительность действия, мс 1 - 5
Пороговое напряжение, B (Uи = -5B, Iи = 0,01 мА) Uпор  6 
Ток утечки стока, нА (Uс = -15B) Iут.с  - 20 - - - -
Ток утечки затвора, нА (Uи = -15B) Iут.с - 20 - - - -
Ток утечки затвора, нА (U3 = -30B) Iут.з - 20
Время включения, мкс. При: Uи = -5B, Uсм.п = 5B tвкл -  0,3
Время выключения, мкс. При: Uи = -5B, Uсм.п = 5B tвыкл - 0,7
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом, при: Uи = -5B, Uс = 0B, Uсм.п = 5B, U3 = - 15В, Iи = 0,1 мА Rси.отк -  100

Элемент кварцевых генераторов = Микросхема 219ГС

Кварцевый генератор — автогенератор электромагнитных колебаний с колебательной системой, в состав которой входит кварцевый резонатор. Предназначен для получения колебаний постоянной частоты с высокой температурной и временной устойчивостью, низким уровнем фазовых шумов. 219ая серия http://studopedia.ru/1_53251_serii-mikroshem-dlya-televizionnoy-apparatu...
Микросхемы 219ГС1 и 219ГС2 применяют в качестве активных элементов кварцевых генераторов, работающих на частотах 30 — 70 и 1 — 30 МГц соответственно. Генераторы выполняют по емкостной трехточечной схеме. Генератор на микросхеме 219ГС1 на частоте 34 МГц обеспечивает выходное напряжение не менее 130 мВ. Отно¬сительная нестабильность частоты (без учета нестабильности часто¬ты кварцевого резонатора) не более +5Х10~в. Потребляемая мощ¬ность не более 15 мВт. Генератор на микросхеме 219ГС2 на часто¬те 13,55 МГц обеспечивает выходное напряжение не менее 230 мВ. Относительная нестабильность частоты + 10Х10-6. Потребляемая мощность не более 15 мВт. Напряжение питания 5 В+10%. 

ОПТОПАРЫ 3ОТ122А, CQY80ng     (10)
Транзисторные оптопприборы используются в РЭА в широком спектре применения и назначены как оптического переключения схем однонаправленного тока с гальваноразвязкой по вход-выход. Оптопприборы триодные, состоят из излучателя арсенидогаллиевого диода и кремний фото-транзистора. Производятся в керамометаллическом корпусе с изгибающимися контактами. HTTP://IELEKT.RU/PRODUCT/3OT122A-OPTRON-AU-1989-31429/ 
Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ122А:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 6 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 100 мкс;
• Максимальный входной ток: 5 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 85 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 50 В;
• Максимальный выходной ток: 15 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
Сопротивление изоляции (Uизол=100V), Om    Rизол    10^9          
Примечание. Измерение параметров, указанных в таблице, кроме Uвход и Rизол, производится при внешнем резисторе сопротивлением один MOm между выводами 10 и 11 оптопары.

Оптопара CQY80ng 
CQY80NG.bmpДаташит http://www.vishay.com/docs/83533/83533.pdf
Серия CQY80N (G) состоит из оптического фототранзистора соединенный с инфракрасным излучателем диоксида галлия 6-контактный пластиковый двойнойCQY80NG-sx.png DIP корпус.
CQY80NG является 1-канальной, 6-выводной оптопарой с фототранзистором на выходе и подключением на основании. Она состоит из фототранзистора, оптически связанного с ИК-диодом. Он подходит для использования в линейных приемниках и интерфейсах микропроцессорной системы.
Тип входа    DC, Тип выхода    DC
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер    32 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер    0.3 V
Напряжение изоляции    5000 Vrms
Коэффициент передачи по току    90 %
Максимальное прямое напряжение диода    1.6 V
Максимальный коллекторный ток    50 mA
Максимальное рассеяние мощности    250 mW
Максимальная рабочая температура    + 100 C
Минимальная рабочая температура    - 55 C
Ток в прямом направлении    60 mA
Максимальный входной ток диода    60 mA
Максимальное обратное напряжение диода    5 V

Фотоэлементы
Ф2062.pngФотоДиоды  представляют собой n-p переход двух полупроводников, закрытых светопроницаемым окном и изменяющих свое свойство под действием освещения. Могут работать в режиме фотоэлемента либо как фоторезистора (при наличии на нем напряжения смещения). 2Ф2062 фототранзистор - устройство, использующее оптические свойства для своей работы: генерации, детектирования, преобразования и передачи информационного сигнала. 
ИК приемник (Фотоприемники TSOP4836 применяются в различных системах дистанционного управления на ИК-лучах.)
Фотодиоды обладают более низкой, чем фоторезисторы чувствительностью, но имеют гораздо более высокое быстродействие (типовое значение – 10…50 нс). ФотоДиоды  (Справочник https://lib.chipdip.ru/151/DOC000151610.pdf )
ФотоДиод прибор         Iт. мкА    Uр., В    ток    Uec    габариты
Ф2062    npn типа со спектром приема, нм 750-870, током It=100 nА        I=100 mA,    Uec=32 V    
ФД-26К    750±350     It=3,0мкА,     Uр.В=20, габариты     3,87х12,5
L-610MP4BT-photo.pngL-610MP4BT-ИК.pngФототранзистор 3х5х5 100нА  L-610MP4BT/BD. Фототранзистор — фоточувствительный полупроводниковый приемник излучения, по структуре подобный биполярному p-n-р или n-р-n транзистору. В отличие от фотодиода он не только преобразует световое излучение в электрический сигнал, но и обеспечивает его усиление. Напряжение питания к прибору подводят так, чтобы коллекторный переход был закрыт, а эмиттерный — открыт. Базу чаще всего оставляют отключенной.

Макс. прямое напряжение:. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5 B
Макс. прямой ток:. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30 мA
Макс. обратное напряжение:. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 B
Диапазон рабочих температур:. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 ...+85°C 
 Цвет свечения: H - красный, 700 нм; I, Е - красный высокоэф., 625 нм; SUR - красный,
640 нм; SR - красный, 660 нм; SU - красный, 640 нм; G, SG, MG - зеленый, 565 нм;
PG - чистый зеленый, 555 нм; N, SE - чистый оранжевый, 610 нм; Y, SY - желтый, 590 нм;
MB - голубой, 430 нм; NB - голубой, 445 нм; PB - голубой, 468 нм
Тип линзы: D - diffused (матовый), T - transparent (прозрачный), C - clear (беcцветный)

ТРАНЗИСТОРЫ

1нт251а транзисторная сборка 389.40 руб (1)
• Структура транзистора: n-p-n; http://www.eandc.ru/pdf/tranzistor/1nt251.pdf 
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обр. ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом
Характеристики http://www.eandc.ru/catalog/detail.php?ID=554.

ТРАНЗИСТОРЫ старых типов
 Транзистор pnp  П29А
Даташит: http://www.155la3.ru/datafiles/p29.pdf (П29, П29А, П30, П31, П31А, П32)
Транзисторы П29А германиевые сплавные транзисторы малой мощности, среднечастотные, проводимость p-n-p.Предназначены для работы в радиотехнической аппаратуре в переключающих и импульсных режимах.
Предельная частота усиления по току П29, П29А 5 МГц
Напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер в режиме переключения 12 В
Напряжение эмиттер-база в режиме переключения 12 В
Ток коллектора в режиме переключения 100 мА (160 мА)*
Рассеиваемая мощность без дополнительного теплоовтода 30 мВт
Температура окружающей среды -55…+60 °С (-60…+70°С)*
Термоциклирование в диапазоне температур -55…+60°С
Температура перехода -55…+85°С (-55…+75°С)*
Относительная влажность воздуха при +40°С до 98%
Атмосферное давление 2,4х104 …3х105 Па
Вибрационные нагрузки (10-600 Гц) до 7,5 g (до 12 g)*
Многократные удары с ускорением до 7,5 g (до 75 g/до 150 g)*
Линейные нагрузки с ускорением до 25 g (до 150 g)*
Срок службы 5000 ч
 Транзистор npn МП103А
Транзисторы кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП103, МП103А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор pnp   ГТ402Б
Транзисторы ГТ402 - германиевые, усилительные, средней мощности низкочастотные, структуры - p-n-p(комплементарны ГТ404).
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей малой мощности. Выпускались в металло-стеклянных корпусах двух видов с гибкими выводами.
Характеристики транзистора ГТ402Б
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 25 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 0,5 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0,6 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 60...150
Обратный ток коллектора 20 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 1 МГц
Коэффициент передачи тока в схеме с "общим эмиттером" в режиме насыщения при токе эмиттера 3мА: - У транзисторов ГТ402А, ГТ402В - от 30 до 80. У транзисторов ГТ402Б, ГТ402Г, ГТ402Е - от 60 до 150.

K1010 - транзисторный оптрон 
K1010C-optron.bmpОптрон производства Cosmo. Область применения: телекоммуникации, компьютеры и периферийное оборудование, бытовая электроника, K1010C-optron-sx.bmpпроизводственное обору дование, системы безопасности и многое другое. https://static.chipdip.ru/lib/053/DOC000053884.pdf Ближайшими аналогами оптрона K1010 являются: PC817 (Sharp); H11A817 (Fairchild), Siemens – SFH618; Toshiba – TLP521-1; NEC – PC2501-1; LITEON – LTV817. Основные характеристики оптрона K1010: 
Граничная частота    80KHz
Диапазон рабочих температур -30oC..+100oC
Тип выхода    сдвоенный фототранзистор
Напряжение изоляции,кВ    5
Максимальный прямой ток,мА    50
Максимальное выходное напряжение, В    60
Время включения/выключения, мкс    3
Есть ещё важный параметр — коэффициент передачи по току (CTR) измеряемый в %. В оптопаре PC817 он определяется буквой после основного кода, также как и большинстве других оптопар и других полупроводниковых приборов.
PC817A    A    80 — 160
PC817B    B    130 — 260
Для PC817 схема включения стандартная как для любого транзисторного оптрона: на входе нужно ограничивать ток — например с помощью резистора, на выходетакже не стоит превышать ток. Но дешевле использовать несколько PC817 вместо многоканального 

Транзисторы MOSFET (полевые)
IRF630 Полевой транзистор с изолированным затвором n-канала семейства Single и встроенным в цепь «исток-сток» защитным IRF630-sx.pngдвухсторонним диодом. Изделие имеет малый заряд затвора, низкое сопротивление во включенном состояниIRF630.pngи, низкую мощность управления, и высокое коммутируемое напряжение. Всё это делает IRF630 идеальным выбором для работы в высокочастотных импульсных источниках питания, использования в системах преобразователей и применения в цепях инверторов для точного управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока. Среди других областей применения: высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций и др. 
Даташит http://www.vishay.com/docs/91031/sihf630p.pdf. Аналоги транзистора IRF630 - КП630, КП737А
Характеристики: Корпус - TO-220AB
Напряжение пробоя сток-исток 200 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Сопротивление в открытом состоянии 0.4 мОм
Ток стока 9.0 А
Заряд затвора 43.0 нКл
Рассеиваемая мощность 74.0 Вт
IRF630-sx2.pngМОП (MOSFET) расшифровывается как Метал-Оксид-Полупроводник из этого сокращения становится понятна структура этого транзистора.
В нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает. Чем выше напряжение, тем больше зарядов и ниже сопротивление, в итоге, сопротивление может снизиться до мизерных значений — сотые доли ома
Достоинство такого транзистора, по сравнению с биполярным очевидно — на затвор надо подавать напряжение, но так как там диэлектрик, то ток будет нулевым, а значит требуемая мощность на управление этим транзистором будет мизерной, по факту он потребляет только в момент переключения, когда идет заряд и разряд конденсатора.
Недостаток же вытекает из его емкостного свойства — наличие емкости на затворе требует большого зарядного тока при открытии. В теории, равного бесконечности на бесконечно малом промежутки времени. А если ток ограничить резистором, то конденсатор будет заряжаться медленно — от постоянной времени RC цепи никуда не денешься.
МОП Транзисторы бывают P и N канальные. Принцип у них один и тот же, разница лишь в полярности носителей тока в канале. Соответственно в разном направлении управляющего напряжения и включения в цепь. Очень часто транзисторы делают в виде комплиментарных пар. То есть есть две модели с совершенно одиннаковыми характеристиками, но одна из них N, а другая P канальные. Маркировка у них, как правило, отличается на одну цифру.
Нагрузка включается в цепь стока. Вообще, в теории, полевому транзистору совершенно без разницы что считать у него истоком, а что стоком — разницы между ними нет. Но на практике есть, дело в том, что для улучшения характеристик исток и сток делают разной величины и конструкции плюс ко всему, в мощных полевиках часто есть обратный диод (его еще называют паразитным, т.к. он образуется сам собой в силу особенности техпроцесса производства).
Самыми ходовыми МОП транзисторами являются IRF630 (n канальный) и IRF9630 (p канальный) в свое время я намутил их с полтора десятка каждого вида. Обладая не сильно габаритным корпусом TO-92 этот транзистор может лихо протащить через себя до 9А. Сопротивление в открытом состоянии у него всего 0.35 Ома.
Впрочем, это довольно старый транзистор, сейчас уже есть вещи и покруче, например IRF7314, способный протащить те же 9А, но при этом он умещается в корпус SO8 — размером с тетрадную клеточку.
Одной из проблем состыковки MOSFET транзистора и микроконтроллера (или цифровой схемы) является то, что для полноценного открытия до полного насыщения этому транзистору надо вкатить на затвор довольно больше напряжение. Обычно это около 10 вольт, а МК может выдать максимум 5.
Тут вариантов три:
На более мелких транзисторах соорудить цепочку, подающую питание с высоковольтной цепи на затвор, чтобы прокачать его высоким напряжением
применить специальную микросхему драйвер, которая сама сформирует нужный управляющий сигнал и выровняет уровни между контроллером и транзистором. Типичные примеры драйверов это, например, IR2117. При обращении с этими транзисторами надо учитывать тот факт, что статического электричества они боятся не просто сильно, а ОЧЕНЬ СИЛЬНО. Пробить затвор статическим зарядом более чем реально. надо держать транзистор  в фольге. При запаивании предварительно заземлись за батарею и надеть шапочку из фольги :). 
А в процессе проектирования схемы надо выполнить еще одно простое правило — ни в коем случае нельзя оставлять висеть затвор полевика просто так — иначе он примет помехи из воздуха и сам откроется. Поэтому обязательно надо поставить резистор килоом на 10 от Gate до GND для N канального или на +V для P канального, чтобы паразитный заряд стекал. 

M IRFZ44
Мощный N - канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора.
Корпус - TO-220AB
Напряжение пробоя сток-исток 60 В
Максимальное напряжение затвора 20 В
Сопротивление в открытом состоянии 0.028 мОм
Ток стока 50А (200А)
Коэффициент передачи   175
Температура перехода до  175оС 
Заряд затвора 67.0 нКл
Рассеиваемая мощность 150.0 Вт
Аналоги КП723А, КП812А1
Существует несколько разных способов проверки полевых и Mosfet транзисторов. Например такой:
1. Проверить сопротивление между затвором — истоком (З-И) и затвором — стоком (З-С). Оно должно быть бесконечно большим.
2. Соединить затвор с истоком. В этом случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).
Характерной неисправностью полевых и Mosfet транзисторов является короткое замыкание З-И и З-С.
Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между И-С, второй — между И-З. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах второго омметра. Естественно, цифровой мультиметр для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.
Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы З-И для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам И-С подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых и Mosfet транзисторов открывается при напряжении З-И около 2 В.
При тестировании полевых транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя статическим электричеством.

Транзистор: КТ814Б (3) 
KY814Б.bmpКремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814Б предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Комплиментарная пара – КТ815. Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, это разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Характеристики: Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В    50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)    1.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин    40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц    50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт    10
Диапазон рабочих температур: - 60 до + 125 C

Высокочастотные транзисторы 
П410.pngП410А германиевый высокочастотный p-n-p транзистор типа П410А  200мГц 100мВт 6В 20мA(1.5A) npn (623 rub) http://www.155la3.ru/datafiles/p411a.pdf 
Предназначен для усиления и генерирования сверхвысоких частот.
Выпускается в металлическом герметическом корпусе с жесткими коаксиальными выводами. Вывод базы соединен с корпусом. Оранжевая метка со стороны эмиттера. Рабочее положение — любое. При включении транзистора в цепь коллекторный контакт должен присоединяться последним и отключаться первым. Пайка выводов не допускается. При эксплуатации транзисторов с перегрузками свыше 4 g. корпус необходимо крепить к шасси. 
Минимальная частота генерации  200 МГц
Напряжение коллектор—база —5 В
Ток эмиттера 5 мА
Обратный ток коллектора 0,2 … 2 мкА
Максимальный начальный ток коллектора 5 мкА
Коэффициент усиления по току в схеме с общей базой 0,965
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером  80 … 250
Максимальная частота генерации 200 МГц
Емкость коллектора 2 … 5 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи на частоте 5 Мгц 300 пс
Минимальное входное сопротивление 7 Ом
Коэффициент обратной связи по напряжению 1,2х10-3
Выходная проводимость не более 10 мксим
* По некоторым источникам
Предельные эксплуатационные данные
Напряжение коллектор — эмиттер при разомкнутой базе 6 В
Напряжение коллектор — база при разомкнутом эмиттере 8 В
Ток коллектора 20 мА
Рассеиваемая мощность при Токр < 35 °С 100 мВт
Температура коллекторного перехода -60 … +85°С
Температура окружающей среды -70…+60°С
Относительная влажность воздуха при +40°С до 95%
Атмосферное давление 5 мм рт. ст … 2 атм
Наибольшее постоянное ускорение 150 g
Наибольшая перегрузка при вибрациях (0-600 Гц) 12 g 

Транзистор высокочастотный КТ326Б (2)
2T326Б.bmpЭто - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Основное применение - переключающие устройства и усилители высокой и сверхвысокой частоты. 
КТ326А, КТ326Б, 2Т326А, 2Т326Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.5 г. Маркировка типа нанесена на корпусе. 
Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкб = 2 В, Iэ = 10 мА:   Т = +25°C:КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ    45 - 160;   Т = ?60°C: 2Т326Б, не менее    15
• Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее: КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ    400 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 5 МГц    450 пс
• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более   0.3 В
• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более    1.2 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: Т = +25°C    0.5 мкА Т = +125°C    10 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В, не более: Т = +25°C    0.1 мкА Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б    10 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более    5 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более    4 пФ
Предельные эксплуатационные показатели КТ326
• Напряжение К-Б (постоянное)    20 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ? 100 кОм    15 В
• Напряжение Э-Б (постоянное)    4 В
• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное) 
в режиме усиленияпри Rбэ ? 100 кОм    20 В
• Ток коллектора (постоянный)    50 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т  +25°C для 2Т326А, 2Т326Б    250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б    83 мВт
при Т  +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ       42 мВт
• Температура сопротивления "переход - среда"    0.6°C/мВт
• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ    +150°C
2Т326А, 2Т326Б    +175°C
• Рабочая температура (окружающей среды)    ?60 ... +125°C

Транзистор высокочастотный 2Т313Б  (кремниевый транзистор, p-n-p) 
2T313Б.bmpТранзистор кремниевый эпитаксиально-планарный, структуры n-p-n, универсальный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для применения в 2T313Б-pin.bmpпереключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры. 
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Масса транзистора не более 1 гр. Аналоги: 3N34
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA 120 MHz
Постоянная времени цепи обратной связи при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA, частоте 2 MHz 500 ps
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-база 2 V, токе эмиттера 20 mA 25 ... 100
Граничное напряжение при токе эмиттера 7.5 mA 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA 0.5 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA 1.1 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 2 MHz 5 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 1 V, частоте 2 MHz 20 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 30 V, температуре 398 K 10 ?A
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V 10 ?A
Время рассасывания при токе коллектора 10 mA, токе базы 2 mA 130 nS
Предельные эксплуатационные данные:
Постоянное напряжение коллектор-база 30 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база 100 Ohm 30 V
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 V
Постоянный ток коллектора 30 mA
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 1 ?s, скважности 10 60 mA
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 333 K 225 mW
Импульсная рассеиваемая мощность при длительности импульса 1 ?s, скважности 10, температуре 333 K 287.5 mW
Температура перехода 150 °С
Общее тепловое сопротивление 0.4 K/mW
Температура окружающей среды 213 ... 398 K

Транзистор высокочастотный 2Т347В (2) (кремниевый транзистор, p-n-p) 
KT347B.bmpМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 9 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 9 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 50(110) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 30-400
Обратный ток коллектора <=1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>500 МГц
Аналоги транзистора КТ347Б: 2N2894, 2N5056, KSY81, MPS3640, 2N3012
Область применения: для работы в переключательных, импульсных и усилительных высокочастотных схемах

СВЧ Транзистор 2SC3357 маломощный NPN (пакет 10)
RF-2SC3357.bmpМаркировка: RE_RF_RH_RK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SP0
Характеристики:
Vceo = 12в
Vcbo = 20в
Vebo = 3в
Ic = 100мa
Pc = 1200mW
hfe = 125...250
Ft = 6.5Ghz
Cce = 0.65pf
TOP MARK: RE

CВЧ Транзистор кт316в (8) (54 руб) U=10в, I=50мА, К=40-120, F=800мГц 
Транзистор КТ316 - усилительный и переключательный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Коэффициент шума не нормирован. КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д применяются в УВЧ, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В - в переключающих устройствах. Имеют металлостеклянный корпус, выводы гибкие. Тип указывается на корпусе. Масса не более 0.6 г. (КТ316АМ - КТ316ДМ имеют пластмассовый корпус. Маркируются сокращённо: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса не более 0.5 г.) 
Даташит http://katod-anod.ru/rd/kt316. 
Аналоги КТ316А - MM1748. КТ316Б - 2N709. КТ316Г - 2SC40. 
Характеристики Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 10 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 50 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-120
Обратный ток коллектора <=0.5 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>800 МГц
ВЧ Транзистор КТ312В n-p-n  (4)  
Кремниевый эпитаксиально-планарный, универсальный, высокочастотный, маломощный. Предназначен для применения в переключательных, усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры. 
Характеристики транзистора КТ312В
Граничная частота коэфф.передачи тока в схеме с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA 120 MHz
Постоянная времени цепи обратной связи при напряжении коллектор-эмиттер 10 V, токе эмиттера 5 mA, частоте 2 MHz 500 ps
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером 50 ... 280
Граничное напряжение при токе эмиттера 7.5 mA 20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA 0.8 V
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 20 mA, токе базы 2 mA 1.1 V
Ёмкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 V, частоте 2 MHz 5 pF
Ёмкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 1 V, частоте 2 MHz 20 pF
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 20 V, температуре 298 K 10 ?A
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4 V 10 A
Время рассасывания при токе коллектора 10 mA, токе базы 2 mA 130 nS
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база 20 V
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении эмиттер-база 100 Ohm 20 V
Постоянное напряжение эмиттер-база 4 V
Постоянный ток коллектора 30 mA
Импульсный ток коллектора при длительности импульса 1 s, скважности 10 60 mA
Постоянная рассеиваемая мощность при температуре 298 K 225 mW
Импульсная рассеиваемая мощность при длительности импульса 1 s, скважности 10, температуре 333 K 450 mW
Температура перехода 115 °С
Общее тепловое сопротивление 0.4 K/mW
Температура окружающей среды 233 ... 358 K
Аналоги транзистора КТ312В, 2N703, 2N728, BCY43, 2SC281, 2SC306, BF240

ВЧ Транзистор p-n-p  2N2907 (2) U=60в, I=0,6А, К=100-300, F=200мГц
Транзисторы 2N2907A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах. Даташит https://eandc.ru/pdf/import/2n2905a_2n2907a.pdf
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 600 мА. 
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Характеристики транзистора 2N2907:
-Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.4 W
-Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
-Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 60 V
-Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
-Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 A
-Предельная температура p-n перехода (Tj): 200 C
-Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 200 MHz
-Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
-Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Аналоги транзистора 2N3906
ВЧ Транзистор n-p-n pn2222 (3) U=40в, I=1А, К=100-300, F=300мГц
Транзистор 2N2222 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт).
Даташит https://www.onsemi.com/pub/Collateral/PN2222-D.PDF
Характеристики транзистора PN2222
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В
Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 0.6 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300
Граничная частота коэффициента передачи тока: 300 МГц
Корпус: TO-92
Транзистор PN2222 можно заменить на 2N4401, 2N5830, 2SC1008, 2SC1009, BC537, BC538, KN2222, KN2222A, KSC1008, KSC1009, KSP2222A, KTN2222, KTN2222A, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219, PN2219A, PN2222A, PN4033, ZTX450, ZTX454, ZTX455

ВЧ Транзистор npn 2Т306А 88.50 руб (3)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в переключающих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Даташит: http://www.5v.ru/ds/trnz/kt306.htm            http://www.quartz1.com/price/PIC/415N1208715.pdf
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

СВЧ Транзистор npn 2T324E
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-нланарные п-р-п переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума КТ324Б-1, и усиления частоты КТ324Д.1
Предназначены для переключения (2Т324А I, 2Т324Б-1, 2Т324В l 2Т324Г-1, КТ324А-1, " KT324B-I, КТ324Г-1) сигналов высокой xfcnjns (2Т324Д-1, 2Т324Е-1, KT324E-I)
Бескорпусные, без держателя, с гибтсими и защитным покрытием на основе кремнийорганического лака Вьтус-каются в сопроводительной таре Обозначение типа приводится на этикетке
Масса транзистора не более 0,002 г
Граничная частота при (/кв = 2 В, /3 = 5 мА не менее 2Т324А-В  800 МГц; 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Г-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1 600 МГц
Постоянная времени цепи обратнрй связи при (/«в = 2 В, /э=5 мА, /=10 МГц 2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Д-1, КТ324Е-1 не более.180 пс
Время рассасывания при /к = 10 мА, /б = 1 мА, /б2 = 1,2 мА, Лк = 75 Ом не более  2Т324А-В, КТ324А-В,.10 нс; 2Т324Г-1,КТ324Г-1 15 не
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Як = 0, /к = Ю мА при Г = 298 К 2Т324А-1, КТ324А-1..20-60
2Т324Б-1, 2Т324Г-1, КТ324Б-1, КТ324Г-1 .... 40-120
2Т324В-1, КТ324В-1 ............ 80-250
2Т324Д-1, КТ324Д-1............20-80
2Т324Е-1, КТ324Е-1 ............ 60-250
при Г= 213 К
2T324A-I................ 8-60
2Т324Б-1, 2Т324Г-1............16-120
2Т324В-1 ................ 32-250
2Т324Д-1................ 8-80
2Т324Е-1................ 24-250
при Г= 358 К
2Т324А-1................20-120
2Т324Б-1, 2Т324Г-1............ 40 - 240
2Т324В-1 ................ 80-500
2Т324Д-1................20-160
2T324E-I................ 60-500
г- «ичное напряжение при /э = 1 мА 2Т324А-!, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, 2Т324Д-1, 2Т324Е-1 не менее . . . 5 В ояжениё насыщения коллектор-эмиттер при/« = ЮмА, / = 1 мА не более............. 0,3 В
Пряжение насыщения база-эмиттер при /к = Ю мА, / = 1 мА не более.............. 1,1 В
Обратный ток коллектора при (/кб = Ю В не более; при Г = 298 К...............0,5 мкА
при г= 358 К2Т324А-1,2Т324Б-1,2Т324В-1,2Т324Г-1,
2Т324Д-1, 2Т324Е-1.............10 мкА
Обратный ток эмиттера при Г = 298 К, (/кб = 4 В не более................... I мкА
Емкость коллекторного перехода при (/кб = 5 В не более...................2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при (/эб = О В не бо.2,5 пФ
Предельные эксплуатационные данные
напряжение коллектор-база......напряжение коллектор-эмиттер при Лэб <10 В 10 В 4 В
Постоянное Постоянное3 кОм.........
Постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора...........20 мА
Импульсный ток коллектора при т„ < 10 мкс, Q > 10 . . . 50 мА 
Постоянная рассеиваемая мощность: при Г= 213- 328 К.............15 мВт; при Г = 358 К.............. 5 мВт
Общее тепловое сопротивление..........3 К/мВт
Температура перехода............. 373 К
Температура окружающей среды..........От 213 до 358 К
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tranzistor/2t324-1.pdf       http://www.04kn009.de/2T324-2T325-2T354-2T355-2T396-2D910-Datasheets.pdf    http://www.sec1.ru/sig/290/105/index.pl

ВЧ Транзистор n-p-n 2Т331Б
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы "2Т331Б-5" поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для применения в усилительных устройствах с низким уровнем шумов и генераторах, в составе интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения. Обозначение технических условий - ХМО.336.003 ТУ. Бескорпусное исполнение (кристаллы на общей пластине). 
Обратный ток коллектора, мкА, (UКБ = 32 В)    IКБО    -    0,05
Обратный ток эмиттера, мкА, (UЭБ = 3,5 В)    IЭБО    -    0,1
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА)    h21Э    48    100
Постоянное напряжение эмиттер- база, В, (UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА)    UЭБО    -    0,72
https://v-kip.com/files/device-attach/2t331_0.pdf          http://www.sec1.ru/sig/290/109/index.pl
г яничная частота при Ukb = 5 В, /э = 3 мА не менее 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2T33IB-1 ........ 450* МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Ukb = 5 В, / = 1 мА, / = МГц не более 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г  120 пс
Минимальный коэффициент шума при Ukb = 5 В, /з = 1 мА, /=100 МГц не более 2Т331А-1, 2Т331Б-1, 2Т331В-1, 2Т331Г-1, КТ331А-1, 4,5 дБ
Емкость эмиттерного перехода при f/эБ = 1 В не более ................... 8 пФ

Биполярные n-p-n
C3198.bmpТранзисторы с1815 2SC3198 Маркировка: HF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 130
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для C1815

Характеристики транзистора 2SC3198
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 0.15 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 700
Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
Корпус: TO-92
Транзисторы серии 2SC3198 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC3198-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SC3198-Y - в диапазоне от 120 до 240, 2SC3198-GR - в диапазоне от 200 до 400, 2SC3198-BL - в диапазоне от 300 до 700.
Комплементарной парой для 2SC3198 является транзистор 2SA1266 c p-n-p структурой.
Транзисторы можно заменить на: 2SC18152SC1815GR2SC20022SC2002-K2SC20032SC2003-K2SC29602SC31142SC3114-T2SC33312SC3331-T2SC33322SC3332-T2SC44082SC46042SC60432SD12072SD1207-T2SD13472SD1347T2SD16162SD1616-K2SD1616A2SD1616A-K2SD1616AK2SD1616K2SD4382SD789C1815C1815GRC945C945GRH945H945-PKSC1008CKSC1008CGKSC1009CKSC1009CGKSC1815KSC1815GRKSC945CKSC945CGKSD1616KSD1616-GKSD1616AKSD1616A-GKTC1006KTC3198KTC3198GR, 2SC3198 

Транзистор КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое KT315.bmpраспространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.
Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями. В военной аппаратуре КТ315 не применялись, их функции в аналогичных схемах обычно выполняли транзисторы 2Т312 или 2Т316 в металло-стеклянных корпусах.
В начале 1990-х появилась тенденция вытеснения КТ315 более современным транзистором КТ3102, который также имел комплементарную пару p-n-p проводимости — КТ3107 — и отличался от КТ315 большим статическим коэффициентом передачи тока при малом коэффициенте шумов на низких частотах, что было важно для высококачественной аналоговой аудиоаппаратуры. Однако, в связи с начавшимся массовым переходом электронной аппаратуры на микросхемы, КТ3102 такого же широкого распространения не получил.
                                     KT315                        КТ315А      КТ315Б       КТ315В       КТ315Г      КТ315Д       КТ315Е      КТ315Ж      КТ315И
Ток коллектора макс. (Ikmax), mA                   100             100             100            100            100             100             50               50
Напряжение колл.-эмиттер макс.(Ukem), В      25               20               40              35              40               35               15               60
Напряжение эмиттер-база макс. (Uebm), В        6                6                 6                6                6                 6                  6                6
Мощность коллектора макс. (Pkmax), мВ         150              150             150            150           150              150             100            100
Температура макс. (Tmax), С                           120              120             120             120           120            120              120            120
Коэффициент усиления (h21)                        20-90         50-350          20-90        50-350      20-90         50-350        30-350        30
Граничная частота (fuh), Мгц                           250              250              250            250           250            250              150             250
Напряжение насыщения (Uкэнас), В                 0,4              0,4               0,4              0,4             1                1                 0,5              0,5
Емкость коллектора (Ск), пФ                             7                 7                     7              7               7                 7                  10               7

Транзистор n-p-n KT961A - биполярный (2)
KT961A.bmpТранзистор КТ961: КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ961Г - усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, планарный. Основное назначение - использование в импульсных устройствах и усилителях. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса транзистора - 0.8 г.
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 80 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(2000) мА
Макс.допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода/с теплоотводом 1/12.5 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-100
Обратный ток коллектора <=10 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>50 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <0.5 дБ

Транзистор n-p-n 2Т6821 
Транзисторы 2Т6821 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Применяются в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Даташит http://ipelectron.ru/download/a321283a-cc41-11e3-a1ae-94de807b8e28.pdf
Технические характеристики
Макс. мощность рассеивания    0,6 W
Макс. допустимое напряжение эммитер-база Uэб    5 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-база Uкб    60 V
Макс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэ    0
Макс. допустимый постоянный ток коллектора    0,5 A
Статический коэффициент передачи тока    20

Транзистор 2Т301Г, 2Т301Ж
КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж, 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tranzistor/2t301.pdf
Основные технические характеристики транзистора 2Т301Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 10... 32;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом

Мощные npn Транзисторы

Транзистор npn 2t904a ВЧ-400мГц, мощный-7 Вт, 65В, 0.8A (160 rub) биполярный 
2T904Aтранзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28В. Транзистор выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В    60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)    0.8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин    10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц    350
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт    5
Корпус    kt-42

Транзистор     npn 2t907a  400мГц 16 Вт 65В 1A(3A) npn (319 rub) биполярный
Транзисторы 2Т907А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 6 г. Тип корпуса: КТ-4.
Основные технические характеристики транзистора 2Т907А:Даташит: https://eandc.ru/pdf/tranzistor/2t907_kt907.pdf
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 16 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 2 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

2t971a транзистор биполярный 220мГц 200 Вт 65В 17A npn (584 rub) 8шт
KT971A.png2Т971А Транзисторы 2Т971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Область применения: для применения в схемах усилителях мощности и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 28 В, внутри корпуса имеется согласующее LC-звено
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В    50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В    50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)    17
Статический коэффициент передачи тока h21э мин    2.2
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц    220.00
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт)    200
Корпус    КТЮ-32-2

Транзистор n-p-n КТ807Б мощный (7)
КТ807Б.pngТранзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные. 
Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлопластмассовом КТ807А, КТ807Б корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.
Даташит http://www.radioman-portal.ru/sprav/pp/transisters/sourse/kt807.pdf
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (10) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 15-45
Обратный ток коллектора <=5000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>5 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ
Масса транзисторов не более 2,5 г.

ТРАНЗИСТОРЫ pnp Мощные 

ТРАНЗИСТОР pnp П609А. Даташит: http://www.155la3.ru/datafiles/p209.pdf
Транзисторы большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для
работы в аппаратуре в режимах усиления и переключения мощности.
Транзисторы конструктивно оформлены в металлическом герметичном холодносварном корпусе со
стеклянными изоляторами и гибкими выводами с наконечниками. Вес транзистора не более 37 г.
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40** В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 12 А мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 60* Вт 
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >15
Обратный ток коллектора <8 мА мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >0,1** МГц
Tj,max 100єC
Аналоги: P209 P210
ТРАНЗИСТОР pnp П210А
П210.pngТранзисторы П210А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. 
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе.
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tranzistor/p210a.pdf
Масса транзистора не более 37 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем.
Основные технические характеристики транзистора П210А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 15

Транзисторы p-n-p
Транзистор с8550  (6) https://eandc.ru/pdf/import/ss8550.pdf     Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
Напряжение эмиттер-база, нS8550.pngе более: -5 V
Ток коллектора, не более: -0.5 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 300
Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
Корпус: TO-92
Транзисторы серии S8550 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор S8550B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 85 до 160, S8550C - в диапазоне от 120 до 200, S8550D - в диапазоне от 160 до 300.
Комплементарной парой для S8550 является транзистор S8050 c n-p-n структурой.
Транзистор S8550 можно заменить на 2SA708, 2SA709, BC527, BC528, KSA708, KSA709, KSP55, KSP56, KSP92, KSP93, M8550, MPS3702, MPS4354, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8550, MPSA92, MPSA93, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, MPSW92, MPSW92G, PN4354, S9012, SS8550, ZTX554, ZTX555, ZTX556, ZTX557

Транзистор p-n-p KTA1266
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
Напряжение коллектор-база, не более: -50 В
Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
Ток коллектора, не более: -0.15 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 400
Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц
Корпус: TO-92
Комплементарной парой для KTA1266 является транзистор KTC3198 c n-p-n структурой.
Транзистор KTA1266 можно заменить на 2SA1015, 2SA1266, 2SA1267, 2SB560, A1015, KSA1015, KSA708C, KSA709C, KSA733C, KTA1267, KTA1279
Транзистор: MOSFET: VN2222LL : Даташит https://translate.google.ru/m/translate#view=home&op=translate&sl=en&tl=...(normally-off)%20transistor%20utilizes%0Aa%20vertical%20DMOS%20structure%20and%20Supertex%E2%80%99s%20well-proven%2C%0Asilicon-gate%20manufacturing%20process.%20This%20combination%0Aproduces%20a%20device%20with%20the%20power%20handling%20capabiVN2222LL.bmplities%0Aof%20bipolar%20transistors%20and%20the%20high%20input%20impedance%20and%0Apositive%20temperature%20coefficient%20inherent%20in%20MOS%20devices.%0ACharacteristic%20of%20all%20MOS%20structures%2C%20this%20device%20is%20free%0Afrom%20thermal%20runaway%20and%20thermally-induced%20secondary%0Abreakdown.%0ASupertex%E2%80%99s%20vertical%20DMOS%20FETs%20are%20ideally%20suited%20to%20a%0Awide%20range%20of%20switching%20and%20amplifying%20applications%20where%0Avery%20low%20threshold%20voltage%2C%20high%20breakdown%20voltage%2C%20high%0Ainput%20impedance%2C%20low%20input%20capacitance%2C%20and%20fast%20switching%0Aspeeds%20are%20desired.
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 10 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для VN2222LL
Этот транзистор с улучшенным режимом (нормально-выключенный) использует вертикальная структура DMOS и хорошо зарекомендовавшая себя Supertex, производство кремниевых каналов. Эта комбинация производит устройство с возможностями обработки мощности биполярных транзисторов с высоким входным импедансом и положительным температурным коэффициентом, присущими МОП-устройствам.
Характеристикам всех MOS-структур.
Вертикальные полевые транзисторы DMOS от Supertex идеально подходят для
широкого спектра приложений для коммутации и усиления, где требуются очень низкое пороговое напряжение, высокое пробивное напряжение, ысокий входной импеданс, низкая входная емкость и скорости быстрого переключения.

Биполярный pnp транзистор 2T3308A (6) 
2T3308.bmpПредназначен для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах, схемах бытовой видеотехники и др. радиоэлектронной аппаратуре. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Pc,max 300мВт; Ucb,max 5V; Uce,max -Ueb,max 5V; Ic,max 100mA; CFt,max 110MHz; Коэфф.70-800
Даташит http://pepina.org/pdf/tranzistori/31_2t3307_8_9.pdf
Аналог: КТ3107 Даташит  https://eandc.ru/pdf/tranzistor/kt3107.pdf прототипы BC307, ВC308, BC309
Характеристики БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР КТ3107А/Л https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC000149179.pdf

Транзистоы p-n-p высокочастотные мощные 
Транзисто 2t914a  биполярный 400мГц 7.2 Вт 65В 0.8A(1.5A) npn (623 rub)
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p мощные сверхвысокочастотные 2Т914А, КТ914А. Предназначены для использования в широкополосных двухтактных усилителях мощности на частотах до 400 МГц в паре с транзистором 2Т904 (КТ904А) при напряжении питания до 28 В. Выпускается в металлокерамических корпусах с жёсткими выводами.
Выходная мощность при Pвх=1 Вт, UКЭ=28 В 2Т914А не менее на ?=100 МГц    7,2 Вт, на ?=400 МГц    2,5 Вт
Коэффициент полезного действия коллектора при Pвых=3 Вт, UКЭ=28 В 2Т914А не менее на ?=100 МГц    65%, на ?=400 МГц    40%
КТ914А при Pвых=2,5 Вт, ?=400 МГц, не менее    30%
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=28 В, ?=5 МГц, не более    12 пФ
Критический ток при UКЭ=10 В, ?=100 МГц, не менее 2Т914А    400 мА, КТ914А    250 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=28 В, ?=100 МГц, IК=0,2 А, не менее    350 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при UКБ=10 В, IЭ=30 мА, ?=5 МГц, не более 2Т914А    15 нс, КТ914А    20 нс
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0, не более    170 пФ
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=65 В, RЭБ=100 Ом, не более    2 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=4 В, не более    0,1 мА
Индуктивность эмиттерного и базового выводов, типовое значение    4 нГ
Ёмкость эмиттер-корпус, база-корпус, типовое значение    1,3 пФ
Ёмкость коллектор-корпус, типовое значение    1,8 пФ
Предельные эксплуатационные данные КТ914А, 2Т914А.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер    65 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер    65 В
Постоянное напряжение эмиттер-база    4 В
Постоянный ток коллектора    0,8 А
Импульсный ток коллектора при ?и?100 мкс, Q?10    1,5 А
Постоянный ток базы    0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк?24,85°С    7 Вт; при Тк=124,85°С    0,4 Вт
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в динамическом режиме при Тк?39,85°С    7 Вт; при Тк=124,85°С    1,5 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус    16 К/Вт
Температура перехода    149,85°С
Температура окружающей среды    От -60,15 до Тк=124,85°С

Транзистор КТ118А
KT118A.bmpТранзисторы КТ118А кремниевые эпитаксиально-планарные двухэмиттерные структуры р-n-р переключательные маломощные. KT118A-sx.bmpПредназначены для применения в модуляторах. Имеет два эмиттера и две базы, коллектор.
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tranzistor/2t118.pdf Завод: http://www.155la3.ru/datafiles/kt118.pdf   http://www.quartz1.com/price/PIC/415N0139611.pdf
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ЖК3.365.238 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ118А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 31 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 100 Ом
1. Эмиттеры тоже вместе - и функция "логическое 2И-НЕ". (с открытым коллектором  )
2. Два эмиттерных повторителя в одном корпусе.
3. Один эмиттер с другой базой - получаем маломощный дарлингтон.
КТ118 - весьма мощный и шустрый аналоговый прерыватель (и т.п.), но требует управления через импульсный трансфоматор (мы использовали ТИМ-198, АФАИР). Способен зарядить 12 нФ до 2В за 0.3 мкс с точностью 0.01%.
Это сборка транзисторов с подобранными параметрами. с КТ117 ничего общего не имеющая. 
Разработана специально для применения в качестве коммутаторов (модуляторов и т.п.) слабосигнальных цепей. Правда, корпус более похож был на металлический вариант операционников. 
Заменить кт118 нечем, достаточно специфичная вещь. Зарубежные 3N105, 3N74
Падение напряжения на открыток ключе при Iб=0,5мА, Т=298К не более: 2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 0,2мВ; 2Т118В,КТ118Б 0,15 мВ
Падение напряжения на открыток ключе при Iб=0,5мА, Т=213К не более: 2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 0,4мВ; 2Т118В,КТ118Б 0,3 мВ
Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 0,5 мА, Т = 398 К не более 0,6 мВ
Падение напряжения на открыток ключе при Iб=1,5мА, Т=298К не более: 2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 0,2мВ; 2Т118В,КТ118Б 0,15 мВ
Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 1,5 мА, Т = 398 К не более 1,2 мВ
Падение напряжения на открыток ключе при Iб = 1,5 мА, Т = 213 К не более 0,18 мВ
Сопротивление открытого ключа при Iэ=2мА, Iб=  мА, Т=298К не более:2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 100 Ом; 2Т118В,КТ118Б 120 Ом
Сопротивление открытого ключа при Iэ=2мА, Iб=2 мА, Т=398К не более:2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 60 Ом; 2Т118В,КТ118Б 70 Ом
Сопротивление открытого ключа при Iэ=20мА, Iб=40мА, Т=298К не более:2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 20 Ом; 2Т118В,КТ118Б 40 Ом
Сопротивление открытого ключа при Iэ=20мА, Iб=40мА, Т=398К не более:2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 40 Ом; 2Т118В,КТ118Б 80 Ом
Сопротивление открытого ключа при Iэ=20мА, Iб=40мА, Т=213К не более:2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В 50 Ом; 2Т118В,КТ118Б 80 Ом
Ток закр.ключа при Uээ=30В для 2Т118В,КТ118Б и при Uээ=15В для 2Т118А,2Т118Б,КТ118А,КТ118В не более:Т=298К 0,1 мкА; Т=398К 5 мкА; Т=213К 0,1 мкА
Напряжение на управляющих переходах при Т = 298 К и Iб = 20 мА не более 1В
Асимметрия сопротивления открытого ключа при Т = 298 К, Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА не более 50 %
Обратный ток коллектор-база 1, коллектор-база 2 при Т = 298 К и Uк = 15В не более 0,1 мкА
Время выключения транзисторной структуры при Rи = 1 кОм, Iб = 20 мА, Епит = 5 В не более 500 нс

МИКРОСХЕМЫ

Микросхемы 155 серии 
Документация: http://www.155la3.ru/k155.htm Вся серия: http://chiplist.ru/chips/155/  http://www.chipinfo.ru/dsheets/ic/155/ 
155ЛА7  (1) Два логических элемента 4И-НЕ с открытым коллекторным выходом и большим коэффициентом разветвления по выходу
Микросхемы К155ЛА7, КМ155ЛА7 представляет собой два логических элемента 4И-НЕ с открытым коллектором и большим коэффициентом разветвления по выходу. (элементы индикации), старое название - К155ЛБ7.
1Лб553 (3) Два логических элемента 4И-НЕ http://www.microshemca.ru/LA7/ Паспорт: http://www.155la3.ru/datafiles/k1lb553_pasp_1.pdf
1ИЕ551 (4)  Декадный счетчик с фазоимпульсным представлением информации http://www.joyta.ru/7402-mikrosxema-k561ie8-opisanie-i-sxema-vklyucheniy...
1ТК551/ТМ (1) D-триггер Паспорт: http://www.155la3.ru/datafiles/k1tk551_pasp.pdf 
1ТВ551 (2) JK-триггер с логикой на входе ЗИ Паспорт: http://www.155la3.ru/datafiles/k1tk551_pasp.pdf 
155ИР1 (1) Четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр 
155ИД1 (1) Двоично-десятичный дешифратор с высоковольтным выходом 
1ИЕ552 (13)  Двоично-десятичный четырехразрядный счетчик
1ИЕ554 (1)  Счетчик-делитель на 12
155ЛП3 (8)  Шесть буферных формирователей с открытым коллектором

Микросхемы 164 серии 
Документация:  http://www.voshod-krlz.ru/product/63 
164ид1 (1) дешифратор 4х10  http://www.voshod-krlz.ru/files/datasheets/164id1.pdf  
164ла9 (12) 3И-НЕ http://www.voshod-krlz.ru/files/datasheets/164la9.pdf 
164ли1 (10) 9И 9Не http://www.voshod-krlz.ru/files/datasheets/164li1.pdf 
164пу1 (5)

Микросхема ПЗУ К573РФ5   (2) 153.40 руб 
573РФ.bmp http://www.155la3.ru/datafiles/573rf2_pasp.pdf   
Микросхема К573РФ5 электрически программируемое постоянное запоминающее устройство с ультрафиолетовым стиранием (ПЗУ УФ). Информационная емкость - 16384 бит. Организация - 2048 слов х 8 разрядов. http://www.155la3.ru/datafiles/573rf2_pasp.pdf  
Дата выпуска: 01.01.1988 г.
Программируемое постоянное запоминающее устройство (ПЗУ).
Микросхемы К573РФ5 представляют собой электрическое программируемое ПЗУ емкостью 16 кбит (2к х 8) с УФ - стиранием, обеспечивающее длительное хранение информации независимо от режимов работы и возможность изменения записанной информации в процессе селективного программирования.
Содержат 35062 интегральных элемента.
Корпус типа 210Б.24-5, масса не более 5 г.
Покрытие выводов или контактов: Au.
Габаритные размеры L*W*H mm: 29х15х8.
Зарубежные аналоги: 2716.
Выходное напряжение: низкого уровня не более 0,35 V; высокого уровня не менее 2,55 V.
Содержание драгметаллов в микросхеме К573РФ5 (Содержание в граммах на 1000 шт.): Золото - 39.07    ;     Серебро - 49.28

Микросхемы 580 серии 
В состав базового комплекта серии КР580 входят следующие:
8-зарядный параллельный центральный процессор КР580ИК80А,
программируемый последовательный интерфейс КР580ИК51,
программируемый таймер КР580ВИ53,
программируемый параллельный интерфейс КР580ВВ55,
программируемый контроллер прямого доступа к памяти КР580ВТ57;
программируемый контроллер прерываний КР580ВН59.
580ГФ24 (2) http://dplm2008.narod.ru/str/komplects/kr580/kr580gf24.html 
КР580ВМ80А (2)  - это раннее обозначение микропроцессора К(Р)580ВМ80. http://www.155la3.ru/datafiles/kr580vm1_article.pdf     http://www.155la3.ru/datafiles/kr580vm1_article.pdf. Много информации: (Программируемый таймер КР580ВИ53; Контроллер прямого доступа к памяти КР580ИК57 (КР580ВТ57); Контроллер алфавитно-цифрового дисплея КР580ВГ75; Программируемый периферийный адаптер КР580ВВ55; Микропроцессор 8080) - http://www.computer-museum.ru/technlgy/8bitproc.htm
КР580ВВ55А (3)    http://www.computer-museum.ru/technlgy/8bitproc.htm
КР580ВН59 (3)  21.24 руб - программируемый контроллер прерываний (ПКП): http://dplm2008.narod.ru/str/komplects/kr580/kr580vh59.html 

Процессор КР580ВМ80 имеет емкость адресуемой памяти 128 Кбайт, тактовую частоту 5 МГц, один источник питания +5 В и расширенную систему команд.
http://microcpukp580.narod.ru/ty.htm http://gigabaza.ru/doc/126021-p4.html 
 Реферат: https://xreferat.com/38/2258-1-mikroprocessornaya-sistema-na-baze-komple...
Микросхема КР580ВН59 представляет собой программируемый контроллер прерываний. 
Обслуживает до 8 запросов на прерывание микропроцессора, поступающих от внешних устройств. 
В ИС предусмотрена возможность расширения числа обслуживаемых запросов до 64 путем ее каскадного соединения. Позволяет сократить средства программного обеспечения и затраты времени на выполнение прерываний в системах с приоритетами многих уровней. 
КР580ВИ53 (3)  http://dplm2008.narod.ru/str/komplects/kr580/kr580vi53.html 
— трехканальное программируемое устройство (таймер), предназначено для организации работы микропроцессорных систем в режиме реального времени. 
КР580ВВ51 (3)  http://microcpukp580.narod.ru/qe.htm   Микросхема КР580ВВ51А представляет собой программируемый последовательный интерфейс (универсальный синхронно - асинхронный приемопередатчик). ИС преобразует параллельный код, получаемый от центрального процессора, в последовательный поток символов со служебными битами. 
КР580ИК55 (4) Описание из справочника Нефедова http://www.155la3.ru/datafiles/k580ik55.pdf  
Параметры: http://www.155la3.ru/datafiles/k580ik55_pasp.pdf 
КР580ИК55 представляет собой однокристальное программируемое устройство ввода/вывода параллельной информации различного формата и
содержит три канала ввода/вывода; А, В и С; микросхема может работать в одном из трех режимов: режим О — простой ввод/вывод; режим 1 — стробируемый ввод/вывод; режим 2 — двунаправленный канал.Необходимый режим задается предварительной записью  управляющего слова. Режим работы каналов можно изменять как в начале, так и в процессе выполнения программы, что позволяет обслуживать различные периферийные устройства в определенном порядке с помощью одной микросхемы КР580ИК55. Режимы работы каналов А и В могут быть установлены различными одновременно. (функциональный аналог Intel 8255) 
Микросхема КР580ГФ24 (5) — генератор тактовых сигналов фаз CI, С2, предназначен для синхронизации работы микропроцессора КР580ВМ80А. Ток потребления 115 ма

Микросхемы 564 серии  
564-series.bmpМикросхемы 564 серии http://www.okbexiton.ru/doc564.php 
Микросхемы серии 564 интегральные предназначены для применения в качестве быстродействующих операционных усилителей. Микросхемы предназначены для применения в специальной аппаратуре цифровой автоматики и вычислительной техники с жесткими требованиями по быстродействию, потребляемой мощности, весу, габаритам и работающей в условиях повышенного воздействия помех и значительного изменения напряжения питания при работе от одного источника питания. Микросхемы 564 серии по функциональному назначению представляют собой: Формирователи импульсов прямоугольной формы; Генераторы прямоугольных сигналов; Схемы цифровых устройств; Дешифраторы; Счетчики; Сумматоры; Регистры; Коммутаторы и ключи; Логические элементы; Преобразователи; Схемы запоминающих устройств; Схемы сравнения по напряжению (компараторы); Триггеры; Усилители индикации.
Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении  420 нс. Выходное напряжение низкого уровня  0,01 В. Выходное напряжение высокого уровня  4,99 В (при UCC = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, T = 25 °C(). Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В.
ДОКУМЕНТАЦИЯ по всем микросхемам https://okbexiton.ru/doc564.php
564ТМ3  (8) Четыре триггера – D https://okbexiton.ru/pdf564v/564tm3v.pdf
564ТМ2   (8)  Два триггера D – типа  https://okbexiton.ru/pdf564/564tm2.pdf. 
564ТР2 (5) Четыре триггера – RS https://okbexiton.ru/pdf564v/564tr2v.pdf
564КТ3 (1) 4 двунаправленных ключа https://okbexiton.ru/pdf564v/564kt3v.pdf 
564ЛП13 (3) Три 3 – входовых мажоритарных логических элемента  https://okbexiton.ru/pdf564/564lp13.pdf
564ЛА9 (2) Функциональный аналог CD4023A. Три 3-х входовых элемента И-НЕ. http://www.okbexiton.ru/pdf564v/564la9v.pdf 
564ЛУ4 (2) Функциональный аналог CD4050A. Шесть преобразователей уровня. http://www.okbexiton.ru/pdf564v/564pu4v.pdf 
564ЛЕ6 (2) 101.48 руб Функциональный аналог CD4002А. Два логических элемента 4ИЛИ-НЕ. http://www.okbexiton.ru/pdf564v/564le6v.pdf 
564ЛЕ5 (5) 184.08 руб Функциональный аналог CD4001А. Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ. http://www.okbexiton.ru/pdf564v/564le5v.pdf 
564ИП3 (10) 146.32 руб Арифметико – логическое устройство http://www.okbexiton.ru/pdf564/564ip3.pdf

Микросхема ЦАП  572  серии  
572ПА1Б.bmp572ПА1Б(В) (9) 358.72 руб  http://batcom.ru/products/mikroskhemy/572/572pa1b/ - Таблица выводов:  Схема (Рижский завод): http://lib.chipdip.ru/056/DOC001056662.pdf  http://www.eandc.ru/pdf/mikroskhema/572pa1.pdf
Микросхемы 572ПА1Б(А,В) представляют собой 10-разрядный умножающий цифро-аналоговый преобразователь информации. Преобразователь повышенной надежности дополнительно маркируются индексом ОСМ.
Преобразует 10-разрядный прямой параллельный двоичный код на цифровых входах в ток на аналоговом выходе, который пропорционален значениям кода и опорного напряжения. 
В состав ЦАП входят: прецизионная резистивная матрица типа R-2R, усилители – инверторы для управления токовыми ключами, токовые двухпозиционные ключи, выполненные на КМОП транзисторах. 
Ближайшиe аналоги AD7520, AD7533
- Мощность потребления (макс.) 30 мВт 
- ±22,5 В – макс. диапазон опорного напряжения 
- Время установления выходного тока (макс.) 5 мкс 
- Напряжение питания UСС = 15В ± 10%
Рабочая температура: -60...+85 °С
 Для работы в режиме с выходом по напряжению к ИС ЦАП типа 572ПА1 подключаются внешние ИОН и ОУ с цепью отрицательной обратной связи. Для достижения стабильности основных параметров преобразования при воздействии внешних факторов резистор обратной связи RFB размещен на кристалле ИС. 

Микросхемы компараторов напряжения 521 серии  
K521CA3A.bmpМикросхемы К521СА3А; К521СА3Б представляют собой компараторы напряжения с высокой чувствительностью и высоким входным сопротивлением. K521CA3A-pin.bmpМикросхемы 521 серии используется в качестве порогового элемента, составляющего основу большого класса электронных устройств: дискриминаторов амплитуды, детекторов уровня, триггера Шмитта, бистабильных индикаторов и т. д.
Компаратор К554СА3А осуществляет переключение выходного напряжения, когда изменяющийся входной сигнал становится выше или ниже определенного уровня. Компаратор принадлежит к классу формирователей, предназначенных для перехода от аналоговых сигналов к цифровым. Поэтому оконечные каскады компараторов обычно конструируют таким образом, чтобы выходное напряжение соответствовало бы принятым логическим уровням распространенных цифровым микросхем. Универсальный компаратор напряжения К554СА3 может питаться от разнообразных источников питания как от ±5..±15 В так и от однополярных, например, только от +5В или -30В. В связи с этим применение компаратора К554СА3А может быть разнообразным. На рисунке представвлена цоколецка микросхемы  К521СА3. Маркировка выводов идет по часовой стрелке, начиная от ключа. Назначение выводов: 1 — эмиттерный выход; 2 — вход неинвертирующий; 3 — вход инвертирующий; 4 — напряжение питания (+); 5 — балансировка; б — стробирование, балансировка; 7 — коллекторный выход; 8 — напряжение питания (-).

Компараторы напряжения 521СА3, 521СА301, Р554СА3А, Б521СА3-1, Н521СА3, К521СА301, К554СА301, К554СА3 являются компараторами напряжения (КН) общего применения с малым входным током и широким диапазоном напряжений питания. Они могут использоваться в том числе с однополярным источником питания, например, +5 В или -30 В. Компаратор имеет два выхода: открытый коллектор и эмиттер. При этом нагрузка может быть подключена к земле, положительной или отрицательной шинам питания. КН изготавливаются для использования в аппаратуре широкого применения. КН 521СА301, 521СА3, Р554СА3А, Б521СА3-1 повышенной надежности дополнительно маркируются индексом ОСМ.
Функциональная схема
K521CA3-sx.pngКомпаратор К554СА3 имеет два выхода: открытый коллектор (вывод 9) и эмиттерный (вывод 2). Из-за приведенных особенностей он может подключаться к любым цифровым микросхемам умеренного быстродействия. Выходной ток К554СА3 также достаточен для подключения реле.
Компаратор представляет собой специализированный операционный усилитель с дифференциальным входным каскадом, работающем в линейном режиме, и одиночным или парафазным выходным каскадом, работающем в режиме ограничения. На один из входов компаратора подают исследуемый сигнал, на другой - опорное напряжение. Если разность меньше напряжения срабатывания, на выходе формируется сигнал логической 1, в противном случае - сигнал логического 0. Схемы включения компаратора представлкны на рискнках:
K521CA3-sx2.pngЦоколевка и основные характеристики к521са3а приведены в документации Рижского завода полупроводниковых приборов: http://www.alfarzpp.lv/rus/sc/521ca3.pdf ,
также кое-что есть по адресу: http://zapadpribor.com/products/mikroskhemy-serii-521/datasheet/mikroskh...
Электрические параметры 521СА3:
Номинальное напряжение питания    ± 15 В
Напряжение смещения нуля: К521СА3А    <= 3 мВ; К521СА3Б    <= 7,5 мВ
Ток потребления от положительного источника питания: К521СА3А    <= 6 мА; К521СА3Б    <= 7,5 мА
Ток потребления от отрицательного источника питания:    <= 5 мА
Входной ток: К521СА3А    <= 100 нА; К521СА3Б    <= 250 нА
Разность входных токов: К521СА3А    <= 10 нА4; К521СА3Б    <= 50 нА
Максимальный выходной ток через выход 7:    200 мА
Коэффициент усиления напряжения    >= 150000
Коэффициент ослабления синфазного входного напряжения    >= 80 дБ
Остаточное напряжение    <= 1,5 В
Время задержки выключения    <= 300 нс
Коэффициент усиления, не менее - 150 000.
Масса, не более - 1,5 г.
Гамма-процентный ресурс микросхем при ?=95% - 200 000 ч. Минимальная наработка:- в обыкновенных режимах и условиях - 100 000 ч; - в облегченных режимах - 120 000 ч.

Микросхема - KA2404, Контроллер скорости вращения электродвигателя
KA2404.bmpДаташит: http://www.elektronikjk.pl/elementy_czynne/IC/KA2404.pdf
KA2404 представляет собой монолитную интегральную схему, предназначенную для регулятора скорости двигателя KA2404-sx.pngпостоянного тока.
• Подходит для контроллеров скорости постоянного тока кассетных магнитофонов и радиокассет.
• Отличная стабильность каждой характеристики при температура окружающей среды.
• Высокий выходной ток.
• Низкий ток покоя (1,3 мА: тип).
• Низкое опорное напряжение.
• Широкий диапазон рабочих напряжений (VCc = 4 В ~ 12 В)
Напряжение питания Vcc 16 В
Ток цепи lэ 2  A
Рассеиваемая мощность PD (TO-92L) 800 мВт
Рабочая температура TOPR - 20 - +70 ° C

KA2404-bloc-sx.png

ДИОДЫ

Диоды 1N5400-1N5408 

http://radio-hobby.org/uploads/datasheet/152/1n54/1n5400.pdf
Характеристики: выпрямительных диодов 1000 В; Макс. прямое напряжение:1 В; Макс. обратное напряжение:50 ~ 1000 В; Макс. прямой ток:3A; Макс. обратный ток:5uA; Ток:3A. Конкретные данные:
     Тип диода                                 1N5400  1N5401    1N5402    1N5403    1N5404    1N5405    1N5406    1N5407   1N5408  Единиц
Макс обратное напряжение Vrrm       50          100         200           300            400       500            600            800       1000     V
Max RMS напряжения СКО В                35          70          140           210             280      350            420            560        700      V
Max напряжение пост.тока Vdc           50         100         200           300             400      500            600            800       1000     V
Max прямой ток Iav                             3,0    A
Пик прямой пульсации Ifsm                200    A
Max прямой напряжения Vf                 1,0    V

1N5402 (6) 3A, 200v, 60Гц  http://radio-hobby.org/uploads/datasheet/152/1n54/1n5400.pdf http://asenergi.com/catalog/diody/1n54.html 
2Д106А  Ui=100В; I=300мА; Ii=3A; F=1кГц; http://www.eandc.ru/catalog/detail.php?ID=946 
1N5408 (5) U=1000В; Ui=1200В; I=3А; Ii=200A; F=1кГц;    https://www.chipdip.ru/product/1n5408 
1N5399 (10) U=1000В; I=1,5А; Ii=50A; F=1кГц;    http://supply.in.ua/komponenty/diody/1N5391.html 
1n4007 (25)  U=1000В; I=1А   http://www.radiolibrary.ru/reference/diod-imp/1n4007.html 
1n4148 (25)  маломощный высокочастотный кремниевый U=53В Ui=100В; I=150mА, Ii=500A;    http://datasheet.su/datasheet/Solid%20State/1N4048 
fr207 (10) импульсный U=1000В; I=2А   http://www.triatron.ru/upload/catalog_photo/elements/pdf/01874.pdf 
fr107 (10) импульсный U=1000В; I=1А, Ii=30A      http://www.triatron.ru/upload/catalog_photo/elements/pdf/01864.pdf 
Макс обратный ток Ta = 25град
Ta = 125град     ИК      5                     500    МкА
Типичные емкость перехода Cj          30    PF
Типовое тепловое сопр.Rqja               20  град/W
Температура диапазон Tj                   -50-170    

Диоды Шоттки

Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении.
В диодах Шоттки в качестве барьера Шоттки используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с ин1N5822-Shotky.bmpжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью. В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). 
Диоды Шоттки изготавливаются обычно на основе кремния (Si) или арсенида галлия (GaAs), реже — на основе германия (Ge). Выбор металла для контакта с полупроводником определяет многие параметры диода Шоттки. В первую очередь — это величина контактной разности потенциалов, образующейся на границе металл-полупроводник. При использовании диода Шоттки в качестве детектора она определяет его чувствительность, а при использовании в смесителях — необходимую мощность гетеродина. Поэтому чаще всего используются металлы Ag, Au, Pt, Pd, W, которые наносятся на полупроводник и дают величину потенциального барьера 0,2...0,9 эВ.
Допустимое обратное напряжение выпускаемых диодов Шоттки ограничено 1200 вольт (CSD05120 и аналоги), на практике большинство диодов Шоттки применяется в низковольтных цепях при обратном напряжении порядка единиц и нескольких десятков вольт.
Достоинства
Падение напряжения на диоде Шоттки при его прямом включении составляет 0,2—0,4 вольт, в то время как для обычных, например, кремниевых диодов, это значение порядка 0,6—0,7 вольт. Однако, столь малое падение напряжения на диоде Шоттки при его прямом включении присуще только сериям с минимальным обратным напряжением порядка десятков вольт, тогда как у серий с более высоким максимальным обратным напряжением - прямое падение напряжения становится сравнимым с кремниевым диодом, что может ограничивать применение диодов Шоттки.
Теоретически диод Шоттки может обладать низкой электрической ёмкостью барьера Шоттки. Отсутствие p-n перехода позволяет повысить рабочую частоту. Это свойство используется в логических интегральных микросхемах, где диодами Шоттки шунтируются переходы база-коллектор транзисторов. В силовой электронике малое время восстановления позволяет строить выпрямители на частоты в сотни кГц и выше. Например, у диода MBR4015 (15 В, 40 А), предназначенного для выпрямления высокочастотного напряжения, время восстановления равно 10 кВ/мкс[1].
Благодаря указанным выше достоинствам, выпрямители на диодах Шоттки отличаются от выпрямителей на обычных диодах пониженным уровнем помех, поэтому они предпочтительны в аналоговых вторичных источниках питания.
Недостатки
Даже при кратковременном превышении максимально допустимого значения обратного напряжения диод Шоттки необратимо выходит из строя, в отличие от обычных кремниевых p-n диодов, которые переходят в режим обратимого[2] пробоя, при условии, что рассеиваемая кристаллом диода мощность не превышает допустимых значений, после падения напряжения диод полностью восстанавливает свои свойства.
Диоды Шоттки характеризуются повышенными (относительно обычных кремниевых p-n диодов) обратными токами, возрастающими с ростом температуры кристалла. Для 30CPQ150 обратный ток при максимальном обратном напряжении изменяется от 0,12 мА при +25 °C до 6,0 мА при +125 °C. У низковольтных диодов в корпусах ТО220 обратный ток может превышать сотни миллиампер (MBR4015 — до 600 мА при +125 °C). Неудовлетворительные условия теплоотвода при работе диода Шоттки с высокими токами приводят к его тепловому пробою.
Номенклатура диодов Шоттки
Диоды Шоттки — составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:
МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996) — основной компонент синхронных выпрямителей. В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны?ми характеристиками (так как представляет собой обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.
Так называемые ORing[3]-диоды и ORing-сборки — силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью P-N перехода и низкими удельными плотностями тока.
Диоды Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 – полупроводниковое устройство, обладающее низким падением напряжения при прямом включении. Барьером Шоттки служит металл-полупроводниковый переход, пропускающий электрическую цепь только в одном направлении. Предельное прямое напряжения составляет от 0,45В до 0,60В, предельное обратное напряжение – от 20В до 40В. Средний прямой ток равен 1А, предельный обратный ток – 1мА. К основным преимуществам представленных диодов Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 следует отнести уменьшенное прямое падение напряжения (в сравнении с обычными диодами) и высокое быстродействие, что объясняется отсутствием инжекционной диффузии неосновных носителей заряда. Цилиндрический корпус диодов (тип DO-41) выполнен из литого пластика, соответствующего стандартам горючести UL 94, спецификация V-0 – процесс горения прекращается через 10 с. На торцах корпуса размещены луженые вывода аксиального проволочного типа, полярные. Катодный вывод обозначается на корпусе круговой полоской. Также на корпусе указана краткая маркировка диода, выполненная нанесением краски. Установка диодов Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 осуществляется с помощью пайки по THT-технологии – выводы монтируются непосредственно в сквозные отверстия печатной платы. Повышенная рабочая температура среды составляет не более +150°С, пониженная рабочая температура – не ниже -65°С, предельная температура процесса пайки (время до 10 с) – не выше +250°С. Применяются диоды Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 в интегральной микроэлектронике (шунтируют переходы транзисторов), в импульсных высокочастотных выпрямителях, импульсных блоках питания аналоговой и цифровой аппаратуры, зарядных устройствах батарей, конверторах, детекторах нейтронного излучения, при сборке солнечных батарей, а также в качестве приёмников альфа и бета излучения.
Источник: Диод Шоттки 1N5817, 1N5818, 1N5819 » АС Энергия https://asenergi.com/catalog/diody/shottki-1n5817-1n5818-1n5819.html
1n5819 диод Шотки   (10) 
Характеристики https://www.radiolibrary.ru/reference/diodes-schottky/1n5819.html
Даташит http://radio-hobby.org/uploads/datasheet/370/1n58/1n5820.pdf
Максимальное постоянное обратное напряжение - 40 В
Максимальный постоянный прямой ток - 1 А
Максимальное прямое напряжение - 0.6 В
Максимальный обратный ток - 1000 мА
Максимальный импульсный прямой ток - 30 А
Максимальная рабочая температура - 125 °С
Тип корпуса - DO-41
F=1mГц; 
ДИОД 1N5822 С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ (20)
Характеристики https://www.radiolibrary.ru/reference/diodes-schottky/1n5822.html
Даташит http://radio-hobby.org/uploads/datasheet/370/1n58/1n5820.pdf
Характеристики 1N5822: Максимальное постоянное обратное напряжение - 40 В
Максимальный постоянный прямой ток - 3 А
Максимальное прямое напряжение - 0.525 В
Максимальный обратный ток - 500 мА
Максимальный импульсный прямой ток - 70 А
Рабочая температура,С    -65.00...125.00; Корпус    DO201AD
Тип корпуса - DO-27
Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD. Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера. Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.1N5822, диод Шоттки(40В,3А/80А). Спецификация: http://files.rct.ru/pdf/diode/821355229684.pdf. 1N5822 можно заменить на более новый прибор SR360. Других широко доступных аналогов у этого диода нет.  Замена на FR, UF может привести к перегреву диода.

Выпрямительные и импульсные диоды
https://static.chipdip.ru/lib/407/DOC001407255.pdf          Даташит =   https://www.vishay.com/docs/85523/1n4151.pdf     https://diotec.com/tl_files/diotec/files/pdf/datasheets/1n4148
 1N4151     сверхбыстрый диод
1N4151.bmpПод диодом обычно понимают электровакуумные или полупроводниковые приборы, которые пропускают переменный электрический ток только в одном направлении и имеют два контакта для включения в электрическую цепь. Односторонняя проводимость диода является его основным свойством. Это свойство и определяет назначение диода:
Характеристики диода 1N4151
Материал    германий
Тип диода    импульсный    
Монтаж    THT    
Обратное напряжение макс.    50В    
Падение напряжения при If    1В    
Прямой ток    0.2А    
Прямой ток макс.    0.5А    
Мощность    500мВт    
Корпус    DO35    
Время готовности    4нс    
Импульсный ток    4А
Диод Д9В  германиевый, точечный
Д9Б.bmpДаташит =  https://eandc.ru/pdf/diod/d9.pdf
Основные технические характеристики :
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 250 мкА при Uoбp 30 В
    Диод 1N4937G
1N4937G.bmpДиод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.2 В, в корпусе DO-41 (DO-41), производства ON Semiconductor (ONS)
Даташит =  https://www.compel.ru/item-pdf/0d06fbe2c294c1d825f82063c6b902ff/pn/diode...
Основные технические характеристики :
Корпус    DO-41
Обратное напряжение макс.    600В    
Прямой ток    1А    
Импульсный ток    30А    
Диоды выпрямительные: 1N4001    1N4002    1N4003    1N4004    1N4005    1N4006    1N4007   https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds28002.pdf
макс. обратное напряж., В          50            100        200            400            600             800          1000
макс.перем.напр.(д.знач.),В        35             70             140            280            420             560           700
Диод 1N4007
1N4937G.bmpДиод 1N4007 наверное самый популярный из всех диодов, так как он устанавливается в подавляющем большинстве зарядок телефонов, смартфонов и планшетов. 
Цветным кольцом на корпусе 1N4007 обозначается вывод катода.
Диод 1N4007 один из представителей целой серии диодов 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006, 1N4007. Эти типы диодов отличаются значением максимального допустимого обратного напряжения (значения для каждого типа приведены в таблице). 1N4007 рассчитан на самое большое напряжение.
Даташит =  https://www.compel.ru/item-pdf/0d06fbe2c294c1d825f82063c6b902ff/pn/diode...
Основные технические характеристики :
максимальный долговременный прямой ток при 75°С — 1.0 А;
максимальный импульсный ток при длительности импульса 3.8 мс — 30 А;
падение напряжения на диоде при токе 1.0А — 1.1 В;
интервал рабочих температур — -65…+175°С;
максимальная рабочая частота — 1 МГц;
Кроме обратного напряжения существенной характеристикой является прямой ток, для 1N4007 он достигает 1 А. Теоретически эти диоды можно было бы использовать в импульсном блоке питания на 220 Вт, если обеспечить хороший теплоотвод от диодов (например, залив их компаундом), но не стоит так экстремально подходить к этим диодам и во входном выпрямителе блока питания на 220 В не стоит превышать мощности 50 – 100 Вт в зависимости от эффективности системы охлаждения.
Аналоги 1N4007
Конечно такой популярный диод не могли оставить без внимания мировые производители полупроводниковых приборов и выпустили свои полные аналоги:
Motorola — HEPR0056RT;
Philips — BYW43;
Diotec Semiconductor — 10D4, 1N2070, 1N3549;
Thomson — BY156, BYW27-1000;
отечественный аналог — КД258Д.

Диод 1N5402
Диоды 1N5402, 1N5404, 1N5406, 1N5407, 1N5408 обладают высокой пропускной способностью и низким прямым падением напряжения. По применяемости диоды 1N5402, 1N5404, 1N5406, 1N5407, 1N5408 относятся к диодам общего назначения, выпрямляющим токи в цепях до 3А с напряжением 200В – 1000В. Диоды данных серий имеют свойство накапливать заряд до 40пФ и могут временно использоваться как варикапы. Тип корпуса диодов – DO-27. Материал корпуса - негорючий полимер. Рабочая частота – до 60Гц. Катодный вывод диода обозначается полосой. Вывода диодов аксиальные, вид монтажа – в отверстия, под пайку. Наиболее частое применение диоды нашли в источниках питания различных бытовых приборов. Характеристики диодов указаны в таблице ниже. Гарантия работы поставляемых нашей компанией диодов 1N5402, 1N5404, 1N5406, 1N5407, 1N5408 составляет 2 года. Это подкрепляется необходимыми документами по качеству.
Источник: Диоды выпр.1N5402–1N5408 » АС Энергия, https://asenergi.com/catalog/diody/1n54.html

Основные технические характеристики :1N5402
Максимальное постоянное обратное напряжение 200 В
Максимальный постоянный прямой ток 3 А
Емкость диода - 40 пФ
Максимальное прямое напряжение 1,1 В
Рабочая температура -65…+175 °С
Тип корпуса - DO-27
Масса - 1,18 г
Диод 1R5NU
Даташит =  https://www.datasheetq.com/datasheet-download/173500/1/Toshiba/1R5NU
Основные технические характеристики :
* Повторяющееся пиковое обратное напряжение: VRRM = 400 В
* Средний прямой ток: IF (AV) = 1,5A (Ta = 25 ° C)
* Очень быстрое время восстановления в обратном направлении: trr = 100 нс ° C
Диод FR155
Диод FR155 кремниевый быстровосстанавливающийся.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 1,5 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-15.
Масса диода: не более 0,4 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.
Диод FR155
Даташит =  https://eandc.ru/pdf/import/fr151_fr157.pdf
Характеристики диода FR155
Максимальное постоянное обратное напряжение,В    600
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А    1.5
Максимальное время обратного восстановления,мкс    0.25
Максимальное импульсное обратное напряжение,В    720
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А    60
Максимальный обратный ток,мкА 25гр    5
Максимальное прямое напряжение,В при 25гр.    1.3
при Iпр.,А    1.5
Общая емкость Сд,пФ    -
Рабочая температура,С    -65...150
Корпус    DO15
Производитель    Kingtronics
Масса - 0,38 г

Диоды RGP15A, RGP15B, RGP15D, RGP15G, RGP15J, RGP15K, RGP15M
RGP15J-E3 / 54 является быстродействующим, пластиковым выпрямителем с пассивированным стеклом переходом, эпоксидной смолой на стекле и лужеными выводами под пайку. Он подходит для универсального выпрямления источников питания, инверторов, и диодов.
Структура выпрямителя для обеспечения высокой надежности. Пассивированный стеклом переход без щелей. Быстрое переключение для высокой эффективности. Возможности высоких перенапряжений
Типичное значение ИК утечки <0.1мкА
Области применения
Промышленное, Потребительская Электроника, Авто, Связь и Сеть
Даташит = http://files.rct.ru/pdf/diode/8221311125588.pdf      https://www.compel.ru/item-pdf/c0fdba2ab8051abdd062c30ab72c0fd8/pn/visha... Актуально  http://www.vishay.com/docs/88701/rgp15a.pdf  http://pdf.tixer.ru/10681...
Характеристики диода: Высокотемпературная металло конструкция
Гарантирована высокая температура пайки 350 ° C / 10сек / 0,375 "длина провода при напряжении 5 фунтов
Действовать при Ta = 55 ° C без теплового сбегания
Типичное значение Ir <0,1 мкА
Полярность: цветовая полоса обозначает катод 
Время восстановления 250нс 
Прямой импульсный ток 50A 
Максимальное пропускное напряжение 1.3В 
Периодическое обратное напряжение 600В 
Выходной ток 1.5A 
Ток утечки 5uA
Емкость перехода 25пФ

Диоды выпрямительные 1N5391 – 1N5399
Диоды 1N5391, 1N5392, 1N5393, 1N5394, 1N5395, 1N5396, 1N5397, 1N5398, 1N5399 обладают высокой пропускной способностью и низким прямым падением напряжения. 
Даташит =  https://www.compel.ru/item-pdf/e42ccbef85f760b07be300f01bc11e41/pn/diote...
Основные технические характеристики :
По применяемости диоды 1N5391 – 1N5399 относятся к диодам общего назначения, выпрямляющим токи в цепях до 1,5А с напряжением 50В – 1000В. Диоды данных серий имеют свойство накапливать заряд до 20пФ и могут временно использоваться как варикапы. Тип корпуса диодов – DO-15. Материал корпуса – негорючий полимер. Рабочая частота – до 60Гц. Катодный вывод диода обозначается полосой. Вывода диодов аксиальные, вид монтажа – в отверстия, под пайку. Наиболее частое применение диоды нашли в источниках питания различных бытовых приборов. Характеристики диодов указаны в таблице ниже. Гарантия работы поставляемых нашей компанией диодов 1N5391 – 1N5399 составляет 2 года. Это подкрепляется необходимыми документами по качеству.
Источник: Диоды выпрямительные 1N5391 – 1N5399 » АС Энергия
http://supply.in.ua/komponenty/diody/1N5391.html
Значения параметров при 25°С температуре окружающей среды, если не указано иное.
Однофазный, напряжение (В) половина волны, частота - 60 Гц, для резистивных и индуктивных нагрузок. Для емкостной нагрузки уменьшайте ток на 20%
ТИП      1 N5391  1N5392   1 N5393   1N5395   1N5397   1N5398   1N5399
Аналоги https://www.compel.ru/infosheet/DC/1N5399
                  VRRM      VRMS        VDC              IF(AV)          IFSM        IR(AV)         VF        IR             trr         CJ             Tj
1N5399     1000        700          1000             1,5               50          300           1,4        5             2,0        15        -50…+150

Диод Д242А
Диоды Д242, Д242А, Д242Б, Д243, Д243А, Д245, Д245А, Д246, Д247, Д248 - диффузионные, кремниевые. Основное назначение - преобразование переменного напряжения. Граничная частота - 1 кГц. Корпус диодов - металлостеклянный. Имеются жёсткие выводы. 
Даташит: https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC000249191.pdf
Максимальное постоянное обратное напряжение, В    100
Максимальное импульсное обратное напряжение, В    100
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А    10
Максимальное прямое напряжение,В    1
при Iпр.,А    10
Рабочая температура,С    -60…125
Диод Д243А
Диод  Д243, Д243А, Д245, Д245А, Д246, Д247, Д248 - диффузионные, кремниевые. Основное назначение - преобразование переменного напряжения. Граничная частота - 1 кГц. Корпус диодов - металлостеклянный. Имеются жёсткие выводы. 
Даташит: https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC000249191.pdf
Максимальное постоянное обратное напряжение, В    200
Максимальное импульсное обратное напряжение, В    200
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А    10
Максимальное прямое напряжение,В    1
при Iпр.,А    10
Рабочая температура,С    -60…125
Диод Д213А
Диод  Д213 - диффузионные, кремниевые 100кГц. Основное назначение - преобразование переменного напряжения. Граничная частота - 1 кГц. Корпус диодов - металлостеклянный. Имеются жёсткие выводы. 
Даташит: https://static.chipdip.ru/lib/249/DOC000249223.pdf
Материал    кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение, В    200
Максимальное импульсное обратное напряжение, В    200
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А    10
Максимально допустимый прямой импульсный ток,А    100
Максимальное прямое напряжение,В    1
при Iпр.,А    10
Рабочая температура,С    -60…125
Диодая матрица КЦ402Е
Диодая матрица КЦ402Е - Блоки из кремниевых диффузионных диодов. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами: КЦ402Л, КЦ402Б, КЦ402В, КЦ402Г, КЦ402Д, КЦ402Е, КЦ402Ж, КЦ402И  
Даташит: https://rudatasheet.ru/diodes/kc405/
Технические параметры
Максимальное постоянное обратное напряжение,В    600
Максимальное импульсное обратное напряжение,В    600
Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А    1
Максимальный обратный ток,мкА    125
Максимальное прямое напряжение,В    4
при Iпр.,А    1
Рабочая температура,С    -40…+85

Диоды КД226А-КД226Д
КД226.bmpДиоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до. 35 кГц. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кольцом со стороны отрицательного вывода (катода): КД226А — оранжевым, КД226Б — красным, КД226В — зеленым, КД226Г — желтым, КД226Д — белым.
Даташит: http://istochnikpitania.ru/index.files/Sprav_Diody1.files/Sprav1_Diody_5...
Масса диода не более 0,5 г.
Постоянное прямое напряжение
при /ПР = 1,7 А, не более:Т= +25 °С.. 1,4 В; Т= -40 °С.  1,7 В
Постоянный обратный ток при иоБР = U0BPt MAKC, не более; Т= +25 °С  50 мкА; Т= +85 °С  400 мкА
Время обратного восстановления при Vи = 1 А, /0БР)И = 1 А, 4, ^ 10 мкс, не более.   0,25 мкс
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение:
КД226А........................................................    100 В
КД226Б........................................................    200 В
КД226В........................................................    400 В
КД226Г.........................................................    600 В
ЧД226Д........................................................    800 В
Постоянный (средний) прямой ток1:Т= -40...+25 °С 1,7 А, Т= +70 °С  1 А, Т=+85 °С 0,75 А, Импульсный прямой ток 10 А
Однократный импульс прямого тока при Ти-10мс (вр.между имп.ие менее 15 мин), /ПР/СР ^ /ПР, ср. макс  50 А
Температура окружающей среды   —40...+85 °С
Пайка выводов диодов не ближе 2 мм от корпуса при темп. не свыше +270 °С в течение 5 с.
Допускается последовательное (без шунтирования) соединение двух диодов одного типа; при этом суммарное обратное напряжение не должно превышать 2(У0БР МАКС. При последовательном соединении большего числа диодов рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый диод резистором с любым сопротивлением.
Допускается параллельное соединение диодов при условии, обеспечивающем исключение перегрузок любого параллельно подключенного диода по максимально допустимому прямому току.
При работе диодов на ёмкостную нагрузку действ.значение тока через диод не должно превышать 1,57/ПР ср>МАкс-

Диод UF5404 кремниевый, ультрабыстродействующий
UF5404-UF5408 Предназначены для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Даташит: https://eandc.ru/pdf/import/uf5400_uf5408.pdf
Характеристики UF5404 : Тип корпуса:  литой пластиковый корпус DO-201AD.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.
Максимальное постоянное обратное напряжение 400 В
Максимальный постоянный прямой ток 3 А
Время восстановления - 50 нс
Емкость диода - 70 пФ
Максимальное прямое напряжение 1 В
Рабочая температура -65…+150 °С

Диод  2Д106А
Даташит: http://istochnikpitania.ru/index.files/Sprav_Diody1.files/Sprav1_Diody_3...     https://eandc.ru/pdf/diod/2d106a_kd106a.pdf
Характеристики Диоды 2Д106А кремниевые, диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. 
Масса диода не более 1 г.
Основные технические характеристики диода 2Д106А:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 3 А;
• fд - Рабочая частота диода: 1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 300 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 100 В;

Селеновый выпрямитель 5ГЕ140Ф
5ГЕ140Ф.bmpСеленовый выпрямитель 5ГЕ140Ф малой мощности серии "Ф" (фольговый). Подводимое напряжение 3500 В, выпрямленное напряжение не менее 1320 В, выпрямленный ток 1,2 мА, температура нагрева до 75°С. 
Основное назначение — выпрямление переменного тока с частотой до 1000 гц.
Столбик собран в трубчатом корпусе из изоляционного материала из элементов из алюминиевой фольги с применением контактной пружины. Рабочее положение - любое
Даташит: http://www.155la3.ru/datafiles/ge_f.pdf       Геллер И. Х. Селеновые выпрямители. — М.— Л.: Энергия, 1964. — 24 с. — (Массовая радиобиблиотека. Вып. 496). — 80 000 экз. Буланин Н. П. Селеновые выпрямители. — М. — Л.: Госэнергоиздат, 1961. — 48 с. — (Библиотека электромонтёра. Вып. 42). — 30 000 экз.
Сопротивление изоляции токоведущих частей выпрямителей относительно корпуса:
в нерабочем состоянии 200 Мом
после 2 ч работы при температуре окружающей среды 60°С 40 Мом
после 48 ч пребывания выпрямителей в среде с
 относительной влажностью 95—98% при температуре 20±5°С 10 Мом
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,385 мкс;
• Сд - Общая емкость: 74... 153 пФ при Uoбp 5 В

СТАБИЛИТРОНЫ

Микросхема TL431 регулируемый стабилитрон
TL431.bmpМикросхема TL431 — это регулируемый стабилитрон. Используется в роли источника опорного напряжения в схемахTL431-sx2.bmp различных блоков питания. Даташит на русском: /documents/tl431rus.pdf
Описание на сайте: http://www.joyta.ru/4883-primenenie-reguliruemogo-stabilitrona-tl431/          Скачать Даташит на русском http://www.joyta.ru/?dl_id=95       Скачать калькулятор http://www.joyta.ru/?dl_id=150    

Технические характеристики TL431.
напряжение на выходе:  2,5…36 вольт;
выходное сопротивление: 0,2 Ом;
прямой ток:  1…100 мА;
погрешность: 0,5%, 1%, 2%;
Отечественными аналогами TL431 являются: КР142ЕН19А, К1156ЕР5Т
К зарубежным аналогам можно отнести: KA431AZ, KIA431, HA17431VP, IR9431N, AME431BxxxxBZ, AS431A1D, LM431BCM
 Схемы включения TL431
Микросхема стабилитрон TL431 может использоваться не только в схемах питания. На  базе TL431 можно сконструировать всевозможные световые и звуковые сигнализаторы. При помощи таких конструкций возможно контролировать множество разнообразных параметров. Самый основной параметр — контроль напряжение.
Переведя какой-нибудь физический показатель при помощи различных датчиков в показатель напряжения, возможно изготовить прибор, отслеживающий, например, температуру,  влажность, уровень жидкости в емкости, степень освещенности,  давление газа и жидкости. ниже приведем несколько схем включения управляемого стабилитрона TL431.

Стабилизатор тока на TL431
Данная схема являетсСтабилизатор тока на TL431я стабилизатором тока. Резистор R2 выполняет роль шунта, на котором за счет обратной связи устанавливается напряжения 2,5 вольт. В результате этого на выходе получаем постоянный ток равный I=2,5/R2.
Стабилизатор тока на TL431
Индикатор повышения напряжения
Работа данного индикатора организована таким образом, что при потенциале на управляющем контакте TL431 (вывод 1) меньше 2,5В, стабилитрон TL431 заперт, через него проходит только малый ток, обычно, менее 0,4 мА. Поскольку данной величины тока хватает для того чтобы светодиод светился, то что бы избежать этого, нужно просто параллельно светодиоду подсоединить сопротивление на 2…3 кОм.

Индикатор повышенного напряжения на TL431
В случае превышения потенциала, поступающего на  управляющий вывод, больше 2,5 В, микросхема TL431 откроется и HL1 начнет гореть. Сопротивление R3 создает нужное ограничение тока, протекающий через HL1 и стабилитрон TL431. МаксимИндикатор повышенного напряжения на TL431альный ток проходящий через стабилитрон TL431 находится в районе 100 мА. Но у светодиода максимально допустимый ток составляет всего 20 мА. Поэтому в цепь светодиода необходимо добавить токоограничивающий резистор R3. Его сопротивление можно рассчитать по формуле:
 R3 = (Uпит. – Uh1 – Uda)/Ih1
где  Uпит. – напряжение питания; Uh1 – падение напряжения на светодиоде;  Uda – напряжение на открытом TL431 (около 2 В); Ih1 – необходимый ток для светодиода (5…15мА). Также необходимо помнить, что для стабилитрона TL431 максимально допустимое напряжение составляет 36 В.
Величина напряжения Uз при котором срабатывает сигнализатор (светится светодиод), определяется делителем на сопротивлениях R1 и R2. Его параметры можно подсчитать по формуле:
R2 = 2,5 х Rl/(Uз — 2,5)
Если необходимо точно выставить уровень срабатывания, то необходимо на место сопротивления R2 установить подстроечный резистор, с бОльшим сопротивлением. После окончания точной настройки, данный подстроичник можно заменить на постоянный.
Иногда необходимо проверять несколько значений напряжения. В таком случае понадобятся несколько подобных сигнализатора на TL431 настроенных на свое напряжение.
Проверка исправности TL431
Выше приведенной схемой можно проверить TL431, заменив R1 и R2 одним переменным резистором на 100 кОм. В случае, если вращая движок переменного резистора светодиод засветиться , то  TL431  исправен.

Индикатор низкого напряжения
Разница данной схемы от предшествующей в том, что светодиод подключен по иному. Данное подключение именуется инверсным, так как светодиод свИндикатор пониженного напряжения на TL431етится  только когда микросхема TL431 заперта.
Индикатор пониженного напряжения на TL431
Если же контролируемое значение напряжения превосходит уровень, определенный делителем Rl и R2, микросхема TL431 открывается, и ток течет через сопротивление R3 и выводы 3-2 микросхемы TL431. На микросхеме в этот момент существует падение напряжения около 2В,  и его явно не хватает для свечения светодиода. Для стопроцентного предотвращения загорания светодиода в его цепь дополнительно включены 2 диода.
В момент, когда исследуемая величина окажется меньше порога определенного делителем Rl и R2, микросхема TL431 закроется, и на ее выходе потенциал будет значительно выше 2В, вследствие этого светодиод HL1 засветится.

Индикатор изменения Индикатор изменения напряжения на TL431напряжения
Если необходимо следить всего лишь за изменением напряжения, то устройство будет выглядеть следующим образом:
Индикатор изменения напряжения на TL431
В этой схеме использован двухцветный светодиод HL1. Если потенциал ниже порога установленного делителем R1 и R2, то светодиод горит зеленым цветом, если же выше порогового значения, то светодиод горит красным цветом. Если же светодиод совсем не светится, то это означает что контролируемое напряжение на уровне заданного порога (0,05…0,1В).

Работа TL431 совместно с датчиками
Если необходимо отслеживать  изменение какого-нибудь физического процесса, то в этом случае сопротивление R2 необходимо поменять на датчик, характеризующейся изменением  TL431 с датчикамисопротивления вследствие внешнего воздействия.
Пример  такого модуля приведен ниже. Для обобщения принципа работы на данной схеме отображены различные датчики. К примеру, если в качестве датчика применить фототранзистор, то в конечном итоге получится фотореле, реагирующее на степень освещенности. До тех пор пока освещение велико, сопротивление фототранзистора мало.
 TL431 с датчиками
Вследствие этого напряжение на управляющем контакте TL431 ниже заданного уровня, из-за этого светодиод не горит. При уменьшении освещенности увеличивается сопротивление фототранзистора. По этой причине увеличивается потенциал на контакте управления стабилитрона TL431. При превышении порога срабатывания (2,5В) HL1 загорается. Данную схему можно использовать как датчик влажности почвы. В этом случае вместо фототранзистора нужно подсоединить два нержавеющих электрода, которые втыкают в землю на небольшом расстоянии друг от друга. После высыхания почвы, сопротивление между электродами возрастает и это приводит к срабатыванию микросхемы TL431, светодиод загорается.
Если же  в качестве датчика применить терморезистор, то можно сделать из данной схемы термостат. Уровень срабатывания схемы во всех случаях устанавливается посредством резистора R1.

TL431 в схеме со звуковой извуковая индикация с TL431ндикацией
Помимо приведенных световых устройств, на микросхеме TL431 можно смастерить и звуковой индикатор. Схема подобного устройства приведена ниже.
Данный звуковой сигнализатор можно применить в качестве контроля за уровнем воды в какой-либо емкости. Датчик представляет собой два нержавеющих электрода расположенных друг от друга на расстоянии 2-3 мм.
Как только вода коснется датчика, сопротивление его понизится, и микросхема TL431 войдет в линейный режим работы через сопротивления R1 и R2. В связи с этим  появляется автогенерация на резонансной частоте излучателя и раздастся звуковой сигнал.

Калькулятор для TL431
Для облегчения расчетов можно воспользоваться калькуляторомF:\Disk-2018\DOC\ЗАМЕТКИ\StabDesign.exe
калькулятор TL431

Стабилизатор напряжения 142ЕН2А, 142ЕН2Б  
142EH.png142EH-sx.pngМикросхемы 142ЕН2А 142ЕН2Б представляют собой стабилизаторы напряжения компенсационного типа с регулируемым выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки 150 мА. Имеют защиту от короткого замыкания и перегрузок и схему дистанционного выключения внешним сигналом. Для регулировки выходного напряжения применяется внешний делитель. Для повышения стабильности предусмотрен вывод для подключения внутреннего источника опорного напряжения к внешнему источнику питания. 342.20 руб  (4); 142ЕН2А (2) 404.74 руб
Содержат 24 интегральных элемента. Изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии. 
Даташит: https://eandc.ru/pdf/mikroskhema/142en1_142en2.pdf
Корпус типа 4112.16-15.01.
Масса микросхем не более 1,4 г.
Основные технические параметры микросхемы 142ЕН2А:
• Выходное напряжение: 12...30 В;
• Выходной ток: 0,15 А;
• Входное напряжение: 40 В;
• Нестабильность по току: 11,1 %/А;
• Нестабильность по напряжению: 0,3 %/В;
• Диапазон рабочих температур: -60...+125°С.

ТИРИСТОРЫ
ТИРИСТОР КУ202А
Даташит: http://katod-anod.ru/rd/ku202
Тиристор КУ202 - триодный, диффузионно-планарный, кремниевый, структуры p-n-p-n, незапираемый. Используется как переключающий элемент узлов аппаратуры, где необходима коммутация значительных напряжений небольшими управляющими напряжениями. Имеет металлостеклянный корпус и жёсткие выводы. Тип тиристора нанесён на его корпус. Вес - не более 14 г. (со всеми комплектующими - 18 г.)
Характеристики тиристора КУ202А
Постоянное максимальное напряжение в закрытом состоянии 25 В
Постоянный импульсный ток в открытом состоянии - 30 А
Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 10 А
Напряжение в открытом состоянии <=1,5 В
Неотпирающее постоянное напряжение управления >=0,2 В
Постоянный ток в закрытом состоянии <=4 мА
Постоянный обратный ток <=4 мА
Отпирающий постоянный ток управления <=200 мА
Постоянное отпирающее напряжение управления <=7 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Время включения <=10 мкс
Время выключения <=100 мкс
При эксплуатации тиристоров между катодом и управляющим электродом должен быть включён шунтирующий резистор сопротивлением 51 Ом. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача тока управления не допускается.
ТИРИСТОР КУ201Л
Тиристоры КУ201 - триодные, диффузионно-планарные, кремниевые, структуры p-n-p-n, незапираемые. Используются как переключающие элементы узлов аппаратуры, где необходима коммутация значительных напряжений небольшими управляющими напряжениями. Имеют металлостеклянный корпус и жёсткие выводы. Тип прибора нанесён на корпус тиристора. Вес - не более 14 г. (со всеми комплектующими - 18 г.)
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tiristory/2u201_ku201.pdf        http://www.xn--b1agveejs.su/m/thyristory-ku201.html      
Характеристики тиристора КУ201Л
Постоянное максимальное обратное напряжение 300 В
Постоянное максимальное напряжение в закрытом состоянии 300 В
Постоянный импульсный ток в открытом состоянии - 30 А
Повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии 2 А
Напряжение в открытом состоянии 2 В
Постоянный ток в закрытом состоянии <=5 мА
Постоянный обратный ток <=5 мА
Отпирающий постоянный ток управления <=100 мА
Постоянное отпирающее напряжение управления <=6 В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 5 В/мкс
Время включения <=10 мкс
Время выключения <=100 мкс
При эксплуатации тиристоров между катодом и управляющим электродом должен быть включён резистор сопротивлением 51 Ом. При отрицательном напряжении на аноде тиристора подача тока управления не допускается.
ТИРИСТОР р-типа 2У101Б
Даташит: http://belchip.by/sitedocs/ky101.pdf      http://www.quartz1.com/price/PIC/415N0427915.pdf   https://eandc.ru/pdf/tiristory/2u101_ku101.pdf
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-типа триодные незапираемые. Предназначены для работы в переключающих  стройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Основные технические параметры тиристора 2У101Б:
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 50 В;
• Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А;
• Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А;
• Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В;
• Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА;
• Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА;
• Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА;
• Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В;
• Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс;
• Время включения: 2 мкс;
• Время выключения: 35 мкс
ТИРИСТОР р-типа 2У101Е
Даташит: https://eandc.ru/pdf/tiristory/2u101_ku101.pdf
Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные р-типа триодные незапираемые. Предназначены для работы в переключающих  стройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Основные технические параметры тиристора 2У101Е:
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В;
• Максимальное постоянное напряжение в закрытом состоянии: 150 В;
• Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии: 1 А;
• Средний импульсный ток в открытом состоянии: 0,075 А;
• Напряжение в открытом состоянии: не более 2,5 В;
• Постоянный ток в закрытом состоянии: не менее 0,15 мА;
• Постоянный обратный ток: не более 0,15 мА;
• Отпирающий постоянный ток управления: не более 12 мА;
• Постоянное отпирающее напряжение управления: 1,5...8 В;
• Скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии: 100 В/мкс;
• Время включения: 2 мкс;
• Время выключения: 35 мкс